缓解策略
将镀铅材料从铅锡合金改为100%雾锡，引起了业内对增加锡晶须的关注。安森美半导体已经实施下列缓解策略，以尽量降低锡晶须发生的概率。
- 将最低电镀厚度从5 µ m增加到7.5 µ m。
- 在24小时镀锡期间进行1小时 150℃的板后退火
- 电镀浴控制
晶须测试
安森美半导体已经按照JEDEC的 JESD22A121标准进行了锡晶须测试。测试在封装上进行，采用了合金42和铜引脚框材料及雾锡引脚镀层。三种测试条件用于评价晶须增长：温度周期（-55/+85°C），环境温度为30°C/60%RH，存储高温/湿度为60°C/87%RH。
安森美半导体的锡晶须认可规范符合JEDEC JESD-201针对2类产品的要求，即温度周期内最长锡晶须为45微米，温度和湿度测试方面最长锡晶须为40微米。迄今所有晶须测试结果都通过了这些规范。
安森美半导体制造厂的有基线锡晶须的测试结果。点击每个报告以下载。
采用合金42引脚框雾锡镀层的安森美半导体乐山制造厂锡晶须报告
采用合金42引引脚框雾锡镀层的安森美半导体Seremban制造厂锡晶须报告
采用铜引引脚框雾锡镀层的安森美半导体Seremban制造厂锡晶须报告
采用铜引引脚框雾锡镀层的安森美半导体Carmona制造厂锡晶须报告
锡晶须应用说明 |
