音频子系统

随着手机集成播放音乐及视频的能力，它们需要以先进的声学性能提供高质量、无失真的音频。发射及接收的语音信号必须滤波以维持它们的音频质量。而且必须提供手机语音信号、免提语音信号、铃声及音乐和视频文檔中的音频等音频信号之间的切换，且不会影响音频质量。

安森美半导体的NCP2820D类音频放大器提供有效的音频信号放大，为8.0 Ω负载提供1.4 W的连续平均功率，而总谐波失真小于1%。NCP2820提供高于90%的能效及典型值为2.5 mA的极低关闭电流，使电池使用时间更长。能够采用单节锂离子电池直接驱动，省下1个额外的稳压器。耳机、扬声器甚至音乐铃声(melody ringer)都能采用单颗NCP2820器件驱动。安森美半导体提供一系列高性能音频放大器，包括AB类和D类器件。

先进的双刀双掷(DPDT)和单刀双掷(SPDT)模拟开关提供当今消费类手持设备市场需要的众多音频信号通道所需的通道安排(routing)。安森美半导体的NLAS3799BDPDT模拟开关为扬声器输出和耳机提供大电流开关。这开关能直接采用锂离子电池动作，故无需稳压器。集成的静电放电(ESD)保护功能使这器件能够放置在紧邻输出/输出(I/O)端口的区域。NLAS5223B采用高空间效率的μQFN-10封装提供类似的性能，而占位面积仅为2.52 mm2，高度仅为0.55 mm。

音频线路保护

为了保护音频插孔、耳机和扩音器免受静电放电(ESD)的损伤，安森美半导体的ESD5B5.0S瞬态电压抑制器(TVS)提供极佳的钳位能力及快速的响应时间。这器件能够钳位IEC61000-4-2标准所测得的达30 kV接触输入ESD脉冲。这性能采用测量尺寸仅为1.2 mm×0.8 mm×0.7 mm的超小型SOD-953封装，为设计人员提供灵活性，使他们能够将这器件布设在接近音频输入插孔或端口的区域，从而优化保护性能。

键盘保护

键盘上的每个按键都是潜在的ESD干扰源。安森美半导体的ESD9X3.3SESD保护二极管采用SOD-923封装，测得的大小仅为1.0 mm×0.6 mm，高为0.4 mm，能够放置在键盘下面。

ESD9X3.3S超越最高等级的ESD保护标准，能够钳位30 kV接触放电，符合IEC61000-4-2四级标准。

安森美半导体的ESD9X系列采用SOD-923封装，提供3.3 V、5 V和12 V等不同版本，每个版本都提供同样优异的钳位能力，并具备典型值小于1 ns的快速响应时间。

锂离子电池充电

如今的手机需要能够采用USB端口和不同墙式适配器等多种充电源来为其电池重新充电。NCP1835B电池充电控制电路因其恒流、恒压充电特性及其板载热过载保护(thermal foldback)电路，能够灵活地配合这些充电源。

采用单节锂离子电池时，这器件产生4.2 V输出电压，并提供1%的稳压精度。这器件还提供稳流及充电终止(end-of-charge)检测功能，用于优化电池使用时间。

NCP1835B为充电电路提供高空间效率的解决方案，因为它不需要外部MOSFET、感测电阻或阻流二极管(blocking diode)。

安森美半导体的电池充电电路系列适用于多种电池化学材料及电池配置。

LCD背光用电感型驱动

安森美半导体的NCP5010LED驱动器在极小的1.7 mm×1.7 mm电路板占位面积上提供500 mW输出功率，使极高空间效率设计中的电路能够驱动多达5个白光LED。NCP5010为与小型电感和电容一起使用而优化，并且具有集成整流、过压保护和短路保护特性，使LED驱动器电路的外部元件数量比以前更少，从而将手持设备的物料单(BOM)减至最小，并提升总体可靠性。

这器件在手持设备进入待机模式时，使用真关闭(true-cutoff)电路来断开负载与电池之间的连接，减小电池的电流需求。

背光用电荷泵驱动

NCP5612双通道白光LED驱动器为LCD显示屏背光而设计。这器件支持手持设备上的发光图标，并以可编程调光特性来控制。这器件采用单线串行链路协定来编程。

NCP5612基于高能效电荷泵结构，内置的直流-直流(DC-DC)转换器提供87%的峰值能效。这LED驱动器为了在终端产品中维持一致的亮度，提供1%的输出电流容限及0.2%的匹配容限。

数据开关用低电容模拟开关

手机需要管理的数据比以前更多，而数据则可通过多个源头进入手机，如通用串行总线(USB)接口和通用异步收发器(UART)。设计人员必须提供在多条数据通道之间切换的途径，而每条数据通道需要提供快速及无干扰的路径。安森美半导体提供的模拟开关及分立保护器件能够发挥作用。

安森美半导体的NLAS7222双单刀双掷(SPDT)模拟开关支持480 Mbps的USB 2.0高速差分信号，具有12 pF的典型电容及250 MHz时-45 dB的通道间(channel-to-channel)串扰(crosstalk)抑制，从而确保最小的噪声干扰。

为了保护数据子系统中对电压敏感的元件免受静电放电(ESD)及瞬态电压事件的损伤，uESD3.3D结合了3类ESD额定能力，并具有低泄漏及小于1 ns的典型响应时间。这些器件采用所测尺寸为1.4 mm×0.6 mm×0.5 mm 的SOD-723封装，能放置在邻近数据线路连接器及接口的区域，优化电路板空间。

uESD系列提供3.3 V、5 V、6 V和12 V的工作峰值反向电压。

LCD接口用EMI滤波，带ESD保护

现今市场上的手机具有高分辨率彩色LCD显示屏。这些显示屏需要高带宽、低噪声的数据线路，防止可能会干扰所显示图像的有害噪声。

安森美半导体的NUF4001四线电磁干扰(EMI)滤波器阵列提供最大滤除效果的滤波，并保护应用免受静电放电(ESD)损伤，支持高速数据信号从基带芯片组传输至LCD显示屏。这器件在800 MHz至5 GHz频率提供优于-25 dB的滤除效果，而没有线路损耗。

NUF4001具有150 MHz的高截止(cut-off)频率和典型值为12 pF的低电容，非常适用于LCD接口的滤波及保护。

安森美半导体提供四通道、六通道及八通道的EMI滤波器，提供最佳的可靠性和设计灵活性。

相机接口用EMI滤波，带ESD保护

新的手持设备设计到达消费者手中前，必须通过规范机构的电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)测试。设计人员视EMI和RFI要求为重要的设计参数，但必须顾及较小物理空间内必要的滤波。

安森美半导体的八线NUF8001EMI滤波器阵列用于为相机接口数据线路提供滤波和保护而开发，是一种高性价比、节省空间的解决方案。这低电容器件对数据率达60 MHz的信号滤波。这器件具备ESD保护功能，用于钳位静电放电产生的瞬态电压，并保护基带和相机接口之间的数据线路免受损伤。NUF8001采用μDFN封装，提供低高度及小占位面积以优化电路板空间。

集成过压保护

手持设备的电池子系统必须具备保护功能，保护在充电操作期间的电池。

安森美半导体的NUS3045代表着手机的新安全及集成水平，结合先进的过压保护(OVP)电路及30 V、P沟道功率MOSFET。NUS3045为过压瞬态和电源故障提供保护，在发生故障情况下，能够在不足1.0 µs的极短时间内断开输入电源与负载的连接。

NUS3045的模拟控制电路和MOSFET集成在低高度的DFN封装中，与现有分立解决方案相比，节省电路板空间，并降低物料单(BOM)开销。

安森美半导体还提供NUS2045，这器件具备相同等级的功能，带集成的20 V MOSFET。