feedback
评价本网页


需要帮助?


C5: 0.5 µm 工艺技术

概览
打印版本
产品概述
安森美半导体的C5工艺系列为5 V混合信号应用而优化,提供中等密度的高性能混合信号技术,能够集成复杂的模拟功能、数字成分及20 V能力。这工艺提供专用混合信号0.5 μm工艺的优势,但省下与BCD工艺额外掩膜步骤相关的成本。这0.5 µm工艺还提供低压晶体管,使其非常适合低功率应用。

特性
  • 2或3层金属
  • 多晶硅至多晶硅电容
  • EEPROM
  • 肖特基二极管
  • 高压I/O – 12/20 V
  • 高电阻多晶硅
  • 低压模块

工艺特性

工作电压 5,12 V
衬底材料 P型,Bulk或EPI
晶体管抽线长度 0.6 µm
门氧化物厚度 13.5 nm
触点/通孔尺寸 0.5 µm
接触门间距 3.9 µm
顶层金属厚度 675 nm
接触金属间距
第1层金属(Metal 1) 1.5 µm
第2、3层金属(Metal 2, 3) 1.6 µm
金属成分 TiN/AlCu/TiN

工艺选择范例

掩膜层数量*
标准CMOS,带20 V延伸漏极(extended drain) 13/15
加双多晶硅电容 14/16
上述所有加1,000 Ω/square电阻 15/17
上述所有加12 V门 16/18
上述所有加低Vt器件 19/21
* 2 Metal/3 Metal.

器件特性
(所有值均是25°C下的典型值)

高压晶体管

12 V双门嵌套(Nested)漏极
N沟道12 V (NU) 典型值 单位
Vt 0.95 V
Idsat 450 µA/µm
BVDSS 19 V
P沟道2 V (PU)
Vt -1.6 V
Idsat -110 µA/µm
BVDSS -14.5 V

20 V延伸漏极,15 V门

N沟道20 V (NX) 典型值 单位
Vt 0.95 V
Idsat 400 µA/µm
BVDSS 28 V
P沟道20 V (PU)
Vt -1.65 V
Idsat -130 µA/µm
BVDSS -28 V

20 V延伸漏极,5 V门
N沟道20 V (NT) 典型值 单位
Vt 0.75 V
Idsat 145 µA/µm
BVDSS 28 V
P沟道20 V (PT)
Vt -1.0 V
Idsat -55 µA/µm
BVDSS -28 V

标准晶体管

N沟道 典型值 单位
Vt 0.7 V
Idsat 450 µA/µm
P沟道
Vt -0.9 V
Idsat -260 µA/µm

电阻

典型值 单位
多晶硅 25 Ω/square
高电阻多晶硅 1000 Ω/square
N扩散 80 Ω/square
P扩散 110 Ω/square
N阱 855 Ω/square

电容

多晶硅-多晶硅 典型值 单位
面积 0.9 fF/µm²
外围(Periphery) 0.065 fF/µm

(所有值均是3.3 V、25°C下的典型值)

前工序数字设计
数字
综合库
仿真库
模拟 – 通用设计信息(GDI)
设计规则
Spice模型

数字设计
高性能内核
4.2 K门/mm² *
1.58 µW/MHz/门
103 ps门延迟(双输入NAND,扇出= 2)
高突(Tall)焊盘用于高I/O数量设计
86 µm直列(in-line)焊盘间距
60 µm错合(staggered)焊盘间距
558 µm焊盘高度

混合信号设计
Cadence技术文档
Cadence晶体管库
混合信号内核
单独衬底总线用于降低数字噪声
7.4 K门/mm² *
0.63 µW/MHz/门
558 µm焊盘高度
128 ps门延迟(双输入NAND,扇出= 2)
混合信号短焊盘(Short Pad)用于高逻辑触点设计
135 µm直列(in-line)焊盘间距
388 µm焊盘高度
混合信号中等高度焊盘
86 µm直列(in-line)焊盘间距
567 µm焊盘高度
*已布线的门密度(Routed gate density)。

存储器选择

SRAM
单端口同步*
191 µm²/bit (64 kb存储器)
双端口同步*
567 µm²/bit (64 kb存储器)

ROM
异步*
14.65 µm²/bit (64 kb存储器)
*已编译

EEPROM
NASTEE (无额外步骤EEPROM)
向量(Vector) (1x4,最高1x32)
阵列(Array) (2x4,最高32x32)


CAD工具兼容性

数字设计
Synopsys Design Compiler
Cadence Verilog

模拟设计
Cadence DFII (4.4.6)
Spectre

布局及布线
Synopsys Apollo, Astro
Cadence Silicon Ensemble

物理验证
Mentor Calibre

更多信息请联系您的当地销售支援