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集成无源器件

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产品概述

安森美半导体的高Q(High-Q™)集成无源器件(IPD)工艺提供基于高电阻硅平台的铜工艺,非常适合生产便携、无线及射频(RF)应用中所用的无源器件,如平衡转换器(balun)、滤波器、耦合器和双工器。IPD工艺为射频系统级封装(SiP)提供高性价比的方案。并为原型工程设计提供晶圆代工往返(shuttle) 服务。IPD技术于安森美半导体世界级的200 mm晶圆制造厂中制造, 支持铜电感、精密电容及精密电阻的制造, 并为定制应用提供设计服务,, 公司提供完整功能的设计套件帮助客户布线、仿真及验证。


特性
  • 高Q(High-Q™)铜电感
  • MIM电容
  • TiN金属电阻
  • 三层金属布线(1层铝,2层铜)
  • 200 mm硅晶圆半径
  • 高电阻硅衬底
  • 平坦双镶嵌(damascene)铜工艺
  • 优异的工艺控制
  • 完整功能设计套件
  • 设计服务
  • 晶圆代工往返服务
  • 面积比分立方案小
  • 比低温陶瓷共烧(LTCC)薄
  • 成本比GaAs低
  • 性能比其它硅方案好

工艺特性

Si HRS 衬底 1.5 kΩ∙cm
MIM 电容密度 0.62 fF/µm²
片式电阻的阻值 9 Ω/square
片式电感的阻值 3.5 mΩ/square
基极硅握着化物厚度 5.6 µm
MIM 工作电压 20 V
M1 铝金属厚度 2 µm
MN 铜金属厚度 5 µm
MN2 铜金属厚度 5 µm
邦定焊盘 线邦定(Wirebond),倒装芯片

工艺选择范例

选择 掩膜层
IPD1 1层铝,1层铜金属
IPD2 1层铝,2层铜金属
金属电阻 Yes/No
MIM 介电质厚度
thickness
标准1 kÅ , 可选2 kÅ
邦定焊盘 线邦定(Wirebond),倒装芯片

器件特性
(所有值均是25°C条件下的典型值)

电感

参数 典型值 单位
铜厚度 5, 10 µm
最小宽度 5 µm
最大宽度 40 µm
最小间距 3 µm
最小内部半径 50 µm
建议范围 1-50 nH
最大Q值 25-45

电阻

参数 典型值 单位
最小宽度 2 µm
最小长度 9 µm

电容

参数 典型值 单位
最小宽度 15.75 µm
最大宽度 450 µm
最大Area 45000 µm²
建议范围 1-100 pF

CAD 工具兼容性

电路图捕获
Cadence Virtuoso
Agilent ADS

仿真
Ansoft HFSS
Agilent ADS

布局及布线
Cadence Virtuoso
Agilent ADS

物理验证
Cadence Assura
Mentor Calibre