ON Semiconductor feeds

50 mA LDO Voltage Regulator

Tue, 16 Mar 2010 17:38:57 GMT

NCP508 : 50 mA LDO Voltage Regulator

DPDT Combined True Ground Audio and USB2.0 High Speed Data Switch

Tue, 16 Mar 2010 15:02:14 GMT

NS5S1153 : DPDT Combined True Ground Audio and USB2.0 High Speed Data Switch

Filterless Class D Mono Audio Amplifier

Wed, 10 Mar 2010 16:18:58 GMT

NCP2823 : Filterless Class D Mono Audio Amplifier

500 & 600 V N-Channel MOSFETs

Wed, 10 Mar 2010 03:00:01 GMT

NDD02N60Z NDD03N60Z NDD05N50Z NDF05N50Z NDF08N50Z : 500 & 600 V N-Channel MOSFETs

Fixed Frequency Current Mode Controllers for Flyback Converters

Wed, 10 Mar 2010 02:58:45 GMT

NCP1237 NCP1238 NCP1288 : Fixed Frequency Current Mode Controllers for Flyback Converters

Single 30 V N-Channel MOSFETs with Integrated Schottky Diode in SO-8FL

Tue, 09 Mar 2010 19:40:43 GMT

NTMFS4897N NTMFS4898N NTMFS4899N : Single 30 V N-Channel MOSFETs with Integrated Schottky Diode in SO-8FL

50 V, 10 mA 恒流稳压器及LED 驱动器

Mon, 01 Mar 2010 07:44:07 GMT

NSI50010YT1G : 50 V, 10 mA 恒流稳压器及LED 驱动器

简单、经济、强固的恒流稳压应用于通用及汽车LED照明; 符合AEC-Q101标准认证
无需外部元器件，可作高或低端稳压器
能承受在汽车、工业和商业照明应用时产生的高电压浪涌；负温度系数保障LED免受热失控

安森美半导体推出用于高能效紧凑型适配器方案的固定频率电流模式控制器

Fri, 26 Feb 2010 07:00:00 GMT

2010年2月26日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出NCP1237、NCP1238及NCP1288固定频率电流模式控制器集成电路(IC)。这些新控制器针对膝上型/笔记本电脑、液晶显示(LCD)显示器、打印机及家用消费电子的交流-直流(AC-DC)适配器应用，提供不同频率及单或双过流阈值电平的选择。标准器件内置65千赫兹(kHz)振荡器，并可根据要求提供100 kHz或133 kHz版本。

这些IC采用了专有的软跳周期(Soft−Skip™)模式，在跳周期模式期间渐进增加峰值电流，降低可听噪声的风险，从而节省更多的元器件，并简化变压器的设计和制造。这些新控制器结合跳周期和频率反走功能，在轻载条件下提供高能效等级，同时将空载条件下的输入能耗降至最低。

NCP1237和NCP1238的动态自供电(DSS)功能提供集成启动电流源，灵巧地处理启动及线路瞬态事件，简化了辅助电源设计，减小供电电压(VCC)电容尺寸。为尽量减少外部元件数量，这些控制器集成了输入欠压、过载补偿及斜坡补偿功能，利便紧凑型方案的设计。

这些新的固定频率电流模式控制器IC工作温度范围为-40°C至+125°C，采用紧凑型SOIC-7封装。

安森美半导体电源及便携产品全球销售及营销高级总监郑兆雄说：“随着电费不断上升，以及人们持续关注环境，竭力以最高的能效比率使用电力必不可少。NCP1237、NCP1238及NCP1288是高集成度方案，使工程师可开发高可靠性的电源系统设计，且物料单(BOM)成本低，以及在产品在待机模式时不浪费电能。”

The NCP1237 controller will be featured in a live demo at the ON Semiconductor booth (#315) during APEC, which takes place Feb. 22-25, 2010 in Palm Springs, Calif.

更多信息请访问http://www.onsemi.cn。

安森美半导体新的功率因数校正LED驱动器支持TRIAC调光，用于住宅及商业照明应用

Wed, 24 Feb 2010 07:00:00 GMT

2010年2月24日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新的功率因数校正(PFC)可调光发光二极管(LED)驱动器 – NCL30000，用于住宅及商业照明应用。

安森美半导体扩充功率开关产品阵容，推出高压MOSFET系列

Mon, 22 Feb 2010 07:00:00 GMT

2010年2月22日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。

这些新的500 V和600 V器件是单N沟道MOSFET，以提供有竞争力的低导通阻抗(RDS(on))实现极低的功率耗散。这些器件使用平面条形(planar stripe)技术，能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗，还提高电源能效。这些器件的额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些器件的优异性能组合帮助开发更高能效的电源子系统。

安森美半导体MOSFET产品分部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“推出这些器件系列仅是安森美半导体进军高压功率MOSFET市场的第一步。我们战略性地进入了高压开关市场，提供充沛的500 V到600 V负载开关方案选择，更好地服务我们客户的总体电源管理需求。未来我们将继续扩充高压功率MOSFET产品阵容，为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。”

新推出的600 V MOSFET器件包括：
- NDD02N60Z-1G ，采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.22美元
- NDD02N60ZT4G，采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.22美元
- NDD03N60Z-1G，采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.23美元
- NDD03N60ZT4G，采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.23美元
- NDD04N60Z-1G，采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.27美元
- NDD04N60ZT4G，采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.27美元
- NDF04N60ZG，采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.27美元
- NDF06N60ZG，采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.36美元
- NDF10N60ZG，采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.42美元

新推出的500 V MOSFET器件包括：
- NDD05N50Z-1G，采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.29美元
- NDD05N50ZT4G，采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.29美元
- NDF05N50ZG，采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.29美元
- NDF08N50ZG，采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.38美元

The NDF05N50ZG and NDF08N50ZG will be featured in a demonstration of a power supply and LED backlight for an LCD TV at the Applied Power Electronics Conference (APEC) at ON Semiconductor’s booth No. 315 on February 21-25, 2010 in Palm Springs, CA.

更多信息请访问www.onsemi.cn。

安森美半导体发布2009年第4季度及全年业绩

Mon, 08 Feb 2010 07:00:00 GMT

2009年第4季度摘要：

总收入约4.971亿美元
经调整EBITDA为1.354亿美元或约为收入的27.2%
公认会计原则(GAAP)每股全面摊薄净收入为0.15美元
非公认会计原则(Non-GAAP)每股全面摊薄净收入为0.19美元（包括以股份支付的报酬支出）
创纪录的现金、现金等值及短期投资5.712亿美元
以全现金约1,700万美元收购PulseCore Semiconductor
就收购California Micro Devices签订最终合并协议

2009年摘要：

总收入约17.69亿美元
经调整EBITDA为3.818亿美元
公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.14美元
非公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.38美元（包括以股份支付的报酬支出）
创纪录的低债务净额约3.62亿美元

美国亚利桑那州菲尼克斯－2010年2月3日－安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation，美国纳斯达克上市代号：ONNN）今日(美国时间)宣布，2009年第4季度的总收入为4.971亿美元，比2009年第3季度增加约5%。2009年第4季度，公司录得公认会计原则净收入为6.800万美元，或每股全面摊薄股份0.15美元。2009年第4季度公认会计原则净收入已计入特别项目扣除净额1,690万美元，或每股全面摊薄股份0.04美元。有关特别项目的详情载于附表。于2009年第3季度，公司录得公认会计原则净收入为2,990万美元，或每股全面摊薄股份0.07美元。

2009年第4季度的非公认会计原则净收入为8,490万美元，或按全面摊薄基准计每股0.19美元（包括以股份支付的报酬支出）。我们先前的非公认会计原则净收入及2009年第4季度展望中并不包括以股份支付的报酬支出。我们打算按前瞻基准将以股份支付的报酬支出计入我们的非公认会计原则展望中。2009年第3季度的非公认会计原则净收入为5,740万美元，或按全面摊薄基准计每股0.13美元（包括以股份支付的报酬支出）。此等非公认会计原则的财务指标（及本公布内所采用的其它非公认会计原则指标，例如非公认会计原则毛利率及经调整EBITDA）与公司根据美国公认会计原则编制的最直接可比指标的对账，已载于附表及公司网站(www.onsemi.cn)。

以混合调整基础计算，2009年第4季度的平均售价与2009年第3季度相比低不足一个百分点。第4季度的公认会计原则毛利率为39.1%，而2009年第4季度的非公认会计原则毛利率为39.9%。（包括以股份支付的报酬支出）。我们先前2009年第4季度的非公认会计原则毛利率展望中并不包括以股份支付的报酬支出。第4季度公认会计原则毛利率已计入特别项目扣除净额约390万美元或约80个基点。有关特别项目的详情载于附表。

2009年第4季度经调整EBITDA为1.354亿美元。2009年第3季度经调整EBITDA为1.102亿美元。

2009年的总收入约为17.69亿美元，比2008年约20.55亿美元减少14% 。公司在2009年录得公认会计原则净收入为6,100万美元。2009年公认会计原则净收入内已计入特别项目扣除净额1.049亿美元。公司在2008年录得公认会计原则净亏损为4.289亿美元。2008年的公认会计原则净亏损已计入特别项目扣除净额7.367亿美元，其中最大特别项目为5.445亿美元的非现金商誉减值。有关特别项目的详情载于附表。

2009年的非公认会计原则净收入为1.659亿美元，或按全面摊薄基准计每股0.38美元（包括以股份支付的报酬支出）。2008年的非公认会计原则净收入为3.078亿美元，或按全面摊薄基准计每股0.80美元（包括以股份支付的报酬支出）。

公司2009年的公认会计原则毛利率为35.1%。2009年的公认会计原则毛利率已计入特别项目扣除净额约1,380万美元，或约80个基点。2009年的非公认会计原则毛利率为35.9%（包括以股份支付的报酬支出）。我们先前的非公认会计原则毛利率并不包括以股份支付的报酬支出。公司2008年的公认会计原则毛利率为36.3%。2008年的公认会计原则毛利率已计入特别项目扣除净额约7,310万美元，或约350个基点。2008年的非公认会计原则毛利率为39.8%（包括以股份支付的报酬支出）。有关特别项目的详情载于附表。

「2009年，安森美半导体成功度过公司及行业历史中最具挑战性的经济时期之一，」安森美半导体总裁兼首席执行官Keith Jackson（杰克信）说。「通过员工的努力工作和奉献，我们甚至在年内最具挑战性的季度内产生正运营现金流。2009年，安森美半导体的整体债务总额减少约7,600万美元，而现金、现金等价物及短期投资增加1.13亿美元。我们相信，我们是以公司历史上最强劲的财务状况进入2010年，现金、现金等值及短期投资超过5.71亿美元，而公司的债务净额亦创约3.62亿美元的新低。我们继续寻找机会扩大产品组合，且于2010年1月27日完成对California Micro Devices Corporation (CMD)的收购。CMD在高亮度LED(HBLED)市场保护方案方面的专长及他们在LC-based EMI（电磁干扰）过滤与低电容ESD（静电放电）保护领域的优势壮大了我们现有的保护及照明方案组合。」

2010年第一季展望
Jackson说：「按现时的产品订单趋势、订货水平和估计周转水平，公司预计2010年第1季总收入将约为5.15亿美元至5.25亿美元。2010年第1季初订货水平较2009年末季初有所上升，相当于我们对2010年第1季的预期收入的90%以上。我们预期2010年第1季平均售价将因而下降1%至2%。2010年第1季度非公认会计原则展望包括以股份支付的报酬支出约1,300万美元至1,400万美元。下表概列公司2010年第1季的公认会计原则及非公认会计原则前景。」

安森美半导体2010年第1季业务前景
	公认会计原则	特别项目***	非公认会计原则****
收入	5.15亿美元至5.25亿美元		5.15亿美元至5.25亿美元
毛利率	40.0% 至 41.0%	300万美元	40.5%至41.5%
运营支出	1.32亿美元至1.36亿美元	1,000万美元	1.22亿美元至1.26亿美元
净利息支出／其他支出	1,000万美元至1,100万美元		1,000万美元至1,100万美元
可换股票据，非现金利息支出*	900万美元	900万美元	0美元
税项	400万美元		400万美元
全面摊薄股数 **	4.45亿		4.45亿

*可换股票据，非现金利息支出乃计入财务会计准则委员会(FASB)颁布的会计准则汇编（「ASC」）第470项债务。
**全面摊薄股份数目可因下列事项而变动，其中包括实际行使购股权或受限制股份单位、公司所有可换股高级次级票据产生的摊薄股份增加，及回购或发行股份或出售库存股份。有关全面摊薄股份数目的潜在变动详情，请参阅公司网站上的图表。
***特别项目包括：重组、资产减值及其它净额；评定存货公平市值（FMV）的支出有所增加；无形资产摊销；商誉减值；所得税调整至概约现金税项；非现金利息支出及若干其它所需特别项目。
**** G规例及其它证券法的法规规定了并非按公认会计原则编制的财务计算的用途。我们认为，此等非公认会计原则计量可为投资者提供重要的补充资料。我们利用此等计量连同公认会计原则计量作内部管理用途，并作为评估期间与期间比较数据的方式。然而，我们并不而阁下也不应全然依赖非公认会计原则计量作为业绩表现的衡量基准。我们认为，非公认会计原则财务计量是反映我们业务营运的特点的另一方式，当连同公认会计原则业绩及我们同时发布的与相应公认会计原则财务计量的对账一并采纳时，可提供影响我们业务的因素及趋势更为完整的情况。由于非公认会计原则财务计量并未标准化，故可能无法将此等财务计量与其它公司的非公认会计原则财务计量相比较（甚至在项目名称相同的情况下，亦无法比较）。

FINANCIALS

TELECONFERENCE
ON Semiconductor will host a conference call for the financial community at 5:00 p.m. Eastern Time (ET) on Feb. 3, 2010 to discuss this announcement and ON Semiconductor’s results for the 2009 fourth quarter and annual results. The company will also provide a real-time audio broadcast of the teleconference on the Investor Relations page of its website at http://www.onsemi.com. The webcast replay will be available at this site approximately one hour following the live broadcast and will continue to be available for approximately 30 days following the conference call. Investors and interested parties can also access the conference call through a telephone call by dialing (888) 546-9664 (U.S./Canada) or (973) 935-8144 (International). In order to join this conference call, you will be required to provide the Conference ID Number – which is 51283327. Approximately one hour following the live broadcast, the company will provide a dial-in replay that will continue to be available through February 10, 2010. To listen to the teleconference replay, call 800-642-1687 (U.S./Canada) or 706-645-9291 (International). You will be required to provide the Conference ID Number – which is 51283327.

This document contains forward-looking statements within the meaning of the Private Securities Litigation Reform Act of 1995. These forward-looking statements include, but are not limited to, statements related to the future financial performance of ON Semiconductor and our ability to increase cash flow from current levels. These forward-looking statements are based on information available to us as of the date of this release and current expectations, forecasts and assumptions and involve a number of risks and uncertainties that could cause actual results to differ materially from those anticipated by these forward-looking statements. Such risks and uncertainties include a variety of factors, some of which are beyond our control. In particular, such risks and uncertainties include, but are not limited to, difficulties encountered in integrating acquired businesses; the variable demand and the aggressive pricing environment for semiconductor products; dependence on our company’s ability to successfully manufacture in increasing volumes on a cost-effective basis and with acceptable quality for our current products; the adverse impact of competitive product announcements; revenues and operating performance; poor economic conditions and markets, including the current credit markets; the cyclical nature of the semiconductor industry; changes in demand for our products; changes in inventories at customers and distributors; technological and product development risks; availability of raw materials; competitors' actions; pricing and gross margin pressures; loss of key customers; order cancellations or reduced bookings; changes in manufacturing yields; control of costs and expenses; significant litigation; risks associated with acquisitions and dispositions; risks associated with leverage and restrictive covenants in debt agreements; risks associated with international operations including foreign employment and labor matters associated with unions and collective bargaining agreements; the threat or occurrence of international armed conflict and terrorist activities both in the United States and internationally; risks and costs associated with increased and new regulation of corporate governance and disclosure standards (including pursuant to Section 404 of the Sarbanes-Oxley Act of 2002); and risks involving environmental or other governmental regulation. Information concerning additional factors that could cause results to differ materially from those projected in the forward-looking statements is contained in ON Semiconductor’s Annual Report on Form 10-K, Quarterly Reports on Form 10-Q, Current Reports on Form 8-K and other of our filings with the Securities and Exchange Commission. These forward-looking statements should not be relied upon as representing our views as of any subsequent date and we do not undertake any obligation to update forward-looking statements to reflect events or circumstances after the date they were made.

安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案

Wed, 03 Feb 2010 07:00:00 GMT

2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。

安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件，符合RoHS指令，关键的规范特性包括：

• 导通阻抗(RDS(on))低至13毫欧(mΩ)
• 电流能力高达76安培(A)
• 经过100%雪崩测试
• 通过AEC-Q101标准认证

安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰，以及推动更高能效，安森美半导体的N沟道功率MOSFET提供强固及可靠的方案。我们100 V产品系列新增的器件为客户提供更多的选择，帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。”

封装及价格
NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用无铅及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封装。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用无铅及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封装。所有这些器件的工作温度范围为-55°C至+175°C。这些MOSFET每10,000片批量的价格为0.92至1.90美元。现提供样品。

更多信息请访问安森美半导体网站：http://www.onsemi.cn。

功率因数校正(PFC)可调光LED驱动器

Mon, 01 Feb 2010 02:11:37 GMT

NCL30000 : 功率因数校正(PFC)可调光LED驱动器

开关电源控制器，用于中低功率单段功率因数校正(PFC)隔离反激LED驱动器
临界模式(CrM)确保在宽输入电压和输出功率范围下提供接近1的功率因数
优化的三端双向可控硅开关器件(TRIAC)可调光参考设计

4通道高速视频驱动器，带标清(SD)重构滤波器

Mon, 01 Feb 2010 02:10:07 GMT

NCS2554 : 4通道高速视频驱动器，带标清(SD)重构滤波器

YPbPr +复合视频驱动器，带集成6阶8 MHz巴特沃斯(butterworth)重构滤波器
其中3个通道各自包含标清(SD)滤波器；第4个通道包含用于CVBS类型视频信号的滤波器驱动器
兼容于大多数视频处理器中所嵌入的数模转换器(DAC)

30 V、N沟道MOSFET

Mon, 01 Feb 2010 02:09:08 GMT

NTD4960N NTD4963N : 30 V、N沟道MOSFET

导通阻抗(RDS(on))低至8 mΩ
门电荷低至9 nC
DPAK和IPAK封装

用于低端驱动的自保护MOSFET

Mon, 01 Feb 2010 02:08:11 GMT

NCV8405 : 用于低端驱动的自保护MOSFET

开关电阻型、电感型及电容型负载
集成短路保护、热关闭及静电放电(ESD)保护
通过AEC-Q101标准认证

高能效2.0 A集成同步降压转换器

Mon, 01 Feb 2010 02:05:21 GMT

NCP5252 : 高能效2.0 A集成同步降压转换器

集成高端和低端MOSFET；全集成在3x3 mm QFN-16封装中
采用+5.0 V或+12 V电源工作；可调节输出电压，最低至0.6 V
开关频率可在333 kHz至1.0 MHz范围之间调节；自动跳周期模式提升轻载能效

安森美半导体时钟管理产品系列增加新的时钟和数据驱动IC

Thu, 28 Jan 2010 07:00:00 GMT

2010年1月28日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布扩充公司的时钟驱动器系列，推出NB7L585、NB7L585R、NB7V585M 和 NB7V586M差分2：1多工器输入至1：6器件，以及带均衡功能的NB6HQ14M和NB7HQ14M 1：4扇出时钟/数据驱动器。

NB6HQ14M 和 NB7HQ14M高性能差分1：4电流模式逻辑(CML)时钟驱动器中集成了可选择的均衡器接收器。当与工作数据率高达6.5 Gbps或10 Gbps的数据通道串联布置时，输入将补偿退化的信号，输出4个相同的原始输入信号的CML副本。通过降低由铜互连或长线缆损耗导致的码间干扰(ISI)，串行数据率因此得以增加。

NB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M是Gigacomm™系列的最新器件，提供集成了2：1多工器与1：6扇出缓冲器的新的2：1：6功能。NB7L585和NB7L585R是2.5 V/3.3 V器件，分别提供400毫伏(mV)峰-峰值低压正射极耦合逻辑(LVPECL)输出或降低摆幅射极耦合逻辑(RSECL)输出。NB7L585工作速率为5 GHz或8 Gbps，NB7L585R工作速率为7 GHz或10 Gbps。

NB7V585M是一款超低电压器件，采用1.8 V/2.5 V电源工作。NB7V586M采用超低的1.8 V电源工作，提供6路输出，配置为3组(bank)，每组含2个差分对。每组输出能够灵活地采用任何1.8 V或1.2 V电源组合来供电。这两款器件工作的时钟/数据率均达6 GHz/10 Gbps。

这些时钟驱动器达到的规范使它们非常适合用于同步光网络(SONET)、千兆位以太网(GbE)、光纤信道(FC)、背板及其它时钟/数据分配应用。每款器件的环境工作温度范围为−40℃至+85℃。

安森美半导体时钟和数据管理业务部总监Prescott Sakai说：“电信交换机、服务器和路由器的系统设计面临着压力，要支持不断增多的时钟和数据接口及电压电平，同时不牺牲信号质量。我们公司的新时钟驱动器提供带均衡特性的新的集成功能，支持不同的接口和低压电平选择。这些器件在竞争供应商完全不能匹敌的数据率维持更高的信号完整性。”

封装和价格
NB7L585、NB7L585R、NB7V585M、NB7V586M、NB6HQ14M及NB7HQ14M每1,000片批量的起价为5.25美元。这些器件采用低高度的3 mm x 3 mm 16引脚或5 mm x 5 mm 32引脚无铅QFN封装。现提供样品。

更多信息请访问http://www.onsemi.cn。

安森美半导体完成对CALIFORNIA MICRO DEVICES CORPORATION的要约收购

Wed, 27 Jan 2010 07:00:00 GMT

亚利桑那州菲尼克斯– 2010年1月27日 – 安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）今天美国时间宣布完成其对California Micro Devices Corporation﹙美国纳斯逹克上市代号：CAMD﹚的要约收购，要约收购已于2010年1月26日纽约市时间午夜12时届满。要约股份21,257,315股约占California Micro Devices Corporation已发行股份90.5%，另 339,156股股份则以保证交付通知的形式作出要约。安森美半导体已就有效要约且未有撤回的股份接纳付款。由于有效的要约及接纳付款，安森美半导体将拥有California Micro Devices Corporation的已发行股份90%以上，并预期可按照美国特拉华州法例准许以「简式」合并方式完成合并的适用条文，准时地完成收购California Micro Devices Corporation，而无须California Micro Devices Corporation股东投票或举行大会。

100 V, N沟道功率MOSFET

Tue, 26 Jan 2010 08:14:09 GMT

NTB6411AN NTB6412AN NTB6413AN NTB6410AN NTD6414AN NTD6415AN NTD6416AN NTD6416ANL NTP6411AN NTP6412AN NTP6413AN NTP6410AN : 100 V, N沟道功率MOSFET

高达500 mJ的业界领先额定雪崩等级
额定最大电流为17到76 A
DPAK、D2PAK及TO-220封装