ON Semiconductor feeds

A Simple Solution to the Challenge of Automotive Audio Active Antenna Power Supply Design (NCV47700/1 Active Antenna Article)

Wed, 08 Feb 2012 07:00:00 GMT

A Simple Solution to the Challenge of Automotive Audio Active Antenna Power Supply Design (NCV47700/1 Active Antenna Article)

Phase Synchronizing Clock Generator

Thu, 02 Feb 2012 22:06:36 GMT

P1P3800A : Phase Synchronizing Clock Generator

LVCMOS Spread Spectrum Peak EMI Reduction Device

Thu, 02 Feb 2012 22:05:01 GMT

P3P8163A : LVCMOS Spread Spectrum Peak EMI Reduction Device

安森美半导体将发布第4季度业绩

Tue, 31 Jan 2012 07:00:00 GMT

2012年1月31日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 计划于美国时间2012年2月8日(星期三)股市收市后发布截至2011年12月31日止之第4季度业绩。

公司将于2月8日发布业绩后举行英语电话会议，时间为美国东岸时间(ET)下午5时。投资者及感兴趣人士可以下列途径参加：

• 网上广播：电话会议将在公司网站http://www.onsemi.cn的“投资者关系”网页作实时网上广播，并会在实时网上广播大约1小时后在该网站重播，为时30天。

• 电话会议：如想参加业绩报告电话会议，请拨888-546-9664(美国/加拿大)，或1-973-935-8144(国际)，并提供该会议的ID号码—48965565。

• 电话会议重播：约在实时广播1小时后，公司将提供拨号重拨，直至2012年2月15日。欲听电话会议重播，请拨855-859-2056 (美国/加拿大)或1-404-537-3406 (国际)，并提供该会议的ID号码—48965565。

300 mA低压降线性稳压器

Fri, 20 Jan 2012 06:50:09 GMT

CAT6220 : 300 mA低压降线性稳压器

2.3 – 6.5 V电压范围支持采用4颗碳锌或碱电池工作
典型工作电流10 µA
能够采用陶瓷输出电容稳定工作

安森美半导体获得可信晶圆厂及代理人认证

Tue, 17 Jan 2012 07:00:00 GMT

2012年1月17日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)之美国爱达荷州Pocatello的“Fab 10”晶圆厂及俄勒冈州的Gresham晶圆厂被授予1A类“可信晶圆厂”(Trusted Foundry)认证。可信晶圆厂计划是美国国防部(DOD)的一个项目，旨在认证可信及可靠的供应源，以开发及制造专用集成电路(ASIC)，涵盖美国国防部的宽范围关键应用，包括全球卫星定位系统(GPS)、热成像及加密媒体。这计划致力于避免系统仿冒、干扰或故意破坏等潜在风险。

Energy conservation fuels technology growth opportunities

Wed, 04 Jan 2012 07:00:00 GMT

Energy conservation fuels technology growth opportunities

Delivering Efficiency in White Goods

Wed, 04 Jan 2012 07:00:00 GMT

Delivering Efficiency in White Goods

安森美半导体订立3.25亿美元循环信贷融通

Fri, 23 Dec 2011 07:00:00 GMT

美国亚利桑那州凤凰城－2011年12月23日－安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation,纳斯达克上市代号：ONNN）今日宣布，公司已与一群贷款者订立一项优先循环信贷融通。该融通使公司可根据循环贷款最多借取3.25亿美元。新融通为期5年，于2016年12月届满。循环信贷融通项下的费用及利息开支会视乎公司的总杠杆比率而有所不同。按照公司现时的总杠杆比率，该融通一经动用，预期将以伦敦银行同业拆息(LIBOR)加175个基点计息。倘该融通如现时般未获动用，则会每年收取等同35个基点的承担费，这同样会视乎总杠杆比率而有所不同。

根据循环信贷融通，公司需维持不多于3.75比1.00的最高总杠杆比率及3.50比1.00的最低利息偿还比率。公司可将该融通项下的借款用于一般公司用途、营运资本及收购等范畴。有关循环信贷融通的进一步资料载于公司今日存档的8-K表格内。

安森美半导体执行副总裁兼首席财政官高云（Donald Colvin）表示：“我们很高兴以优惠利率从一群核心贷款者取得3.25亿美元的循环信贷融通。该融通增强公司的信贷状况，并为安森美半导体提供可观的财政灵活度，以配合我们更长远的公司目标。”

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This document contains forward-looking statements within the meaning of the Private Securities Litigation Reform Act of 1995. All statements, other than statements of historical facts, included or incorporated in this document could be deemed forward-looking statements, particularly statements about the future financial performance of ON Semiconductor. These forward-looking statements are often characterized by the use of words such as “believes,” “estimates,” “expects,” “projects,” “may,” “will,” “intends,” “plans,” or “anticipates,” or by discussions of strategy, plans or intentions. All forward-looking statements in this document are made based on information available to us as of the date of this release, our current expectations, forecasts and assumptions, and involve risks, uncertainties and other factors that could cause results or events to differ materially from those expressed in the forward-looking statements. Among these factors are our revenues and operating performance, poor economic conditions and markets (including current credit and financial conditions), effects of exchange rate fluctuations, the cyclical nature of the semiconductor industry, changes in demand for our products, changes in inventories at our customers and distributors, technological and product development risks, enforcement and protection of our intellectual property rights and related risks, availability of raw materials, electricity, gas, water and other supply chain uncertainties, our ability to effectively shift production to other facilities in order to maintain supply continuity for our customers, variable demand and the aggressive pricing environment for semiconductor products, our ability to successfully manufacture in increasing volumes on a cost-effective basis and with acceptable quality for our current products, competitors’ actions including the adverse impact of competitive product announcements, pricing and gross profit pressures, loss of key customers, order cancellations or reduced bookings, changes in manufacturing yields, control of costs and expenses and realization of cost savings from restructurings and synergies, significant litigation, risks associated with decisions to expend cash reserves for various uses such as debt prepayment or acquisitions rather than to retain such cash for future needs, risks associated with acquisitions and dispositions (including from integrating and consolidating, and timely filing financial information with the Securities and Exchange Commission for, recently acquired businesses, such as SANYO Semiconductor, and difficulties encountered in accurately predicting the future financial performance of recently acquired businesses, such as SANYO Semiconductor), risks associated with our substantial leverage and restrictive covenants in our debt agreements from time to time, risks associated with our worldwide operations including foreign employment and labor matters associated with unions and collective bargaining arrangements as well as man-made and/or natural disasters such as the flooding in Thailand or the Japan earthquake and tsunami affecting our operations and finances/financials, the threat or occurrence of international armed conflict and terrorist activities both in the United States and internationally, risks and costs associated with increased and new regulation of corporate governance and disclosure standards (including pursuant to Section 404 of the Sarbanes-Oxley Act of 2002), risks related to new legal requirements and risks involving environmental or other governmental regulation. Information concerning additional factors that could cause results to differ materially from those projected in the forward-looking statements is contained in ON Semiconductor’s Annual Report on Form 10-K for the period ended December 31, 2010, Quarterly Reports on Form 10-Q, Current Reports on Form 8-K and other of our filings with the Securities and Exchange Commission. If any of these trends, risks or uncertainties actually occurs or continues, our business, financial condition or operating results could be materially adversely affected, the trading prices of our securities could decline, and investors could lose all or part of their investment. Readers are cautioned not to place undue reliance on forward-looking statements. These forward-looking statements should not be relied upon as representing our views as of any subsequent date and we do not undertake any obligation to update forward-looking statements to reflect events or circumstances after the date they were made.

安森美半导体完成私人转换1.99亿美元，于2026年到期的2.625厘可换股优先后偿票据

Mon, 19 Dec 2011 07:00:00 GMT

美国亚利桑那州凤凰城–2011年12月19日 –安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation，美国纳斯达克上市代号：ONNN））今日宣布，成功透过与若干持有人私人磋商，转换本金总额约1.99亿美元于2026年到期的2.625厘可换股优先后偿票据。根据私人磋商的转换条款，本金总额约1.99亿美元的现有票据，已转换为具同等价值，于2026年到期的2.625厘的本公司可换股优先后偿票据及现金代价。根据是次交易发行的新票据的条款基本上与现有票据相同，除(i)在新票据下，票据持有人可要求本公司购回票据的首日（不论有否发生若干特定事件）由2013年12月15日延后至2016年12月15日；(ii) 在新票据下，本公司有权选择赎回票据的首日由2013年12月15日延后至2016年12月20日；及(iii) 在新票据下，票据可兑换的首日（不论有否发生若干特定事件）由2013年6月15日延后至2016年6月15日。此外，于兑换时就特定基本变动可发行的额外股份数目已根据公司于2011年12月2日每股普通股的收市价8.04美元而予以修改。

安森美半导体的执行副总裁兼首席财政官高云（Donald Colvin）说：“本公司欣然宣布完成私人磋商，以转换约1.99亿美元于2026年到期的2.625厘可换股优先后偿票据。借着是次私人磋商的转换，安森美半导体2013年的总债务已削减约38%或1.99亿美元。”

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512 kb串行EEPROM

Fri, 16 Dec 2011 07:29:32 GMT

CAT25512 : 512 kb串行EEPROM

64k x 8比特，带128字节页写缓存
兼容20 MHz SPI接口
供电电压范围1.8 V至5.5 V

20 A、450 V N沟道IGBT

Fri, 16 Dec 2011 07:28:15 GMT

NGB8245 : 20 A、450 V N沟道IGBT

温度补偿门极-集电极电压钳位限制施加给负载的应力
低阈值电压连接电源负载与逻辑或微处理器器件
提供门极-射极ESD保护及集成ESD二极管保护

低噪声2通道时钟扇出缓冲器

Fri, 16 Dec 2011 07:26:43 GMT

NB3RL02 : 低噪声2通道时钟扇出缓冲器

集成LDO为TXCO等外部时钟源供电
待机模式下典型能耗电流消耗为0.2 µA
采用WLCSP-8封装，尺寸为0.8 mm x 1.6 mm x 0.5 mm

双输入复位产生器

Thu, 15 Dec 2011 07:21:57 GMT

CAT871 CAT872 : 双输入复位产生器

当看门狗定时器关闭或故障时重启基于微控制器的系统
典型值10 nA的超低静态电流
ULLGA-6封装， 1.45 x 1.0 x 0.4 mm

双高速低功率CAN收发器

Thu, 15 Dec 2011 07:21:01 GMT

NCV7441 : 双高速低功率CAN收发器

符合ISO 11898标准
极佳的ESD性能 (>10 kV)，更低的电磁敏感度，提供强固的性能
低电磁辐射，无须共模扼流圈

4线超低电容ESD保护

Thu, 15 Dec 2011 07:20:02 GMT

ESD7484 : 4线超低电容ESD保护

极佳ESD保护，非常适合于HDMI、IEEE 1394a/b/c、MIPI及LVDS
极高截止频率 (5.3 GHz)，保证提供高信号完整度
低高度、占位面积为1.6 x 1.1 mm的WLSCP封装，引脚间距0.4 mm

5线HDMI控制线路ESD保护

Thu, 15 Dec 2011 07:19:03 GMT

ESD5384 : 5线HDMI控制线路ESD保护

12 pF电容，提供高达15 kV的高ESD保护水平
非常适合HDMI 1.3及1.4版本的线路保护
节省空间，WLCSP小外形尺寸：1.14 x 1.14 mm WLCSP9，0.4 mm引脚间距

用于USB OTG的3线ESD保护

Thu, 15 Dec 2011 07:18:03 GMT

ESD7383 : 用于USB OTG的3线ESD保护

低电容，用于D+/D-及ID引脚，8 kV接触放电ESD保护
兼容于速度达480 Mbps的USB 2.0高速端口
超小占位面积： 0.8 x 0.8 mm WLCSP4封装， 0.4 mm间距

安森美半导体沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列，提供更高的开关能效

Wed, 14 Dec 2011 07:00:00 GMT

2011年12月14日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR)，用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。

安森美半导体BelaSigna R261获颁“EDN China 2011年度创新奖” DSP类“最佳产品奖”

Mon, 05 Dec 2011 07:00:00 GMT

2011年12月5日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是获得《电子设计技术》(“EDN China) 2011年度创新奖”的一家杰出优胜者，公司的BelaSigna R261噪声管理方案获颁DSP（数字信号处理器)类“最佳产品奖”。

EDN China年度创新奖主要表彰可提供先进性能、提升能效或者带来卓越用户体验的优秀电子产品。BelaSigna R261因其无与伦比的语音增强性能及业界领先的高能效而脱颖而出。这系统级芯片(SoC)还可助制造商节省成本，加快产品上市。

参与此次奖项评选的专家评审团说：“智能手机及平板电脑等便携式产品的语音通信系统正面临更大压力以提供清晰的语音，即使在噪声环境下也是如此。安森美半导体的BelaSigna R261 SoC以先进的双麦克风噪声消减算法提供背景噪声抑制及更清晰自然的语音。这SoC功耗极低、体积小且易于集成，非常适用于多种嘈杂环境。”

BelaSigna R261是完整的系统级芯片解决方案，能为膝上型电脑、手机、网络摄像机、平板电脑及其它要求更高语音清晰度的语音捕获应用提供先进的双麦克风的噪声管理。这方案采用创新方法来降低机械、平稳以及非平稳噪声，即使声源远离或者没有很好对准麦克风，也维持自然的语音品质，实现更佳语音清晰度，为用户带来无可匹敌的行动自由度。

安森美半导体听力及音频方案高级总监Michel De Mey说：“提高能效及优化用户体验是我们在DSP市场的两大主要目标。我们非常高兴获得享誉电子行业的EDN China颁发奖项，也很欣慰我们的努力获得回报，赢得行业认可，这进一步证明安森美半导体为音频方案增添的价值。我们将继续创新，为客户开发更好的解决方案。”

BelaSigna R261兼容多种编解码器、基带芯片和麦克风，且无须校准，因此易于集成，可缩短制造商产品上市时间。其它特性包括能够定制多种语音捕获模式，以及针对某个特定设备的特殊需求来调节算法。这SoC还拥有一个高度优化的、基于DSP的应用控制器，提供业界领先的能效。这SoC采用极紧凑的5.3 mm2 WLCSP封装，能够适应即使空间极为受限的架构，并可以使用低成本的印制电路板(PCB)设计技术。

关于EDN China创新奖
EDN China创新奖是半导体产业的一项极具声望的评选活动，始源于美国，至今已举办了21届。EDN China 于2005年将这一奖项引入中国，成为中国电子设计社群的一项知名盛事。在专家提名的基础上，这奖项由工程师通过网上投票来评选产生。