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2N3055: 15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 6 (70.0kB)
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Product Overview
产品说明
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications. The 2N3055 (NPN) and MJ2955 (PNP)are complementary devices.
特性
 
  • DC Current Gain - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
  • Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
  • Excellent Safe Operating Area
  • Pb-Free Packages are Available
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
2N3055G Active
Pb-free
15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $1.008
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 2 to 4
Arrow   (Sat Jul 11 09:07:36 MST 2015) : 2053
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Complementary Silicon Power Transistors
Rev. 6 (70.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor   NPN   15   60   20   70   2.5   115   TO-204-2 
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