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2N5302: High Power NPN Bipolar Power Transistor

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Datasheet: High-Power NPN Silicon Transistor
Rev. 2 (92.0kB)
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Product Overview
产品说明
The High Power Bipolar NPN Transistor is designed for use in power amplifier and switching circuits applications.
特性
 
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    VCE(sat)=0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc
  • Pb-Free Package is Available
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
2N5302G Active
Pb-free
High Power NPN Bipolar Power Transistor TO-204-2 1-07 NA Tray Foam 100 $1.872
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
Arrow   (Sat Jul 11 13:59:11 MST 2015) : 168
Digikey   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: High-Power NPN Silicon Transistor
Rev. 2 (92.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     High Power NPN Bipolar Power Transistor   NPN   30   60   15   60   2   200   TO-204-2 
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