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BD810: High Power PNP BipolarTransistor

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Specifications
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Datasheet: Plastic High Power Silicon Transistor
Rev. 8 (89kB)
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Product Overview
产品说明
The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性
 
  • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
  • Pb-Free Packages are Available
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
BD810G Active
Pb-free
High Power PNP BipolarTransistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50 $0.5933
BD810 Last Shipments
High Power PNP BipolarTransistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50  
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : <1K
ON Semiconductor   (2015-07-08) : 1,100
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Plastic High Power Silicon Transistor
Rev. 8 (89kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     High Power PNP BipolarTransistor   PNP   10   80   30   -   1.5   90   TO-220-3 
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