PWM 控制器,双输出/DDR

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FAN5026 PWM 控制器为高性能计算机、机顶盒和 VGA 卡上的 I/O、芯片组和存储器组供电所需的 0.9v 到 5.5V 范围内的两个可调节输出电压提供了高能效和调节。同步整流有助于在较宽范围的负载下提高能效。用 MOSFET RDS(ON) 作为电流感应组件,可进一步提高能效。 前馈斜坡调制、平均电流模式控制方案和内部反馈补偿,可快速响应负载瞬变。具有 180° 相移的失相运行,可以减少输入电流波纹。通过激活指定引脚,可以将控制器转换为全方位的 DDR 内存电源方案。在 DDR 模式下,其中一个沟道跟踪另一个沟道的输出电压,并提供输出电流源汲功能——这是为 DDR 芯片正确供电所必需的。还提供此类存储器所需的缓冲参考电压。FAN5026 监控这些输出,并在软启动完成且输出在其设定值的 ±10% 以内时,生成单独的 PGx(电源正常)信号。 过电压保护防止输出电压超过设定值的 120%。当过电压状态停止时,自动恢复正常运行。任一输出的软启动序列完成后,该输出低于设定值的 75% 时,欠压保护会将芯片锁存。可调过电流功能通过感应整个低 MOSFET 的电压降来监控输出电流。如果需要精确的电流感应,可以使用外部电流感应电阻。

  • TBA
  • 高灵活性、双同步开关PWM控制器包括以下模式:
  • 带同相操作的DDR模式,用于减少通道干扰
  • 90°相位偏移的两阶DDR模式,用于减少输入纹波
  • 双独立调节器,180°相位偏移
  • 完整DDR存储器电源解决方案
  • VTT跟踪VDDQ/2
  • VDDQ/2缓冲参考输出
  • 低端MOSFET上的无损电流感测或者使用感测电阻的精确过流
  • VCC欠压闭锁
  • 宽输入范围: 3V至16V
  • 卓越动态响应,使用电压前馈和平均电流模式控制
  • 电源正常信号
  • 支持DDR-II和HSTL
  • 28引脚薄型小封装

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