650V,30A,场截止沟槽 IGBT

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安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用新型场截止沟槽 IGBT 技术,为低导通和开关损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS 和数字发电机提供了优化性能。

  • 最大结温:TJ = 175oC
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) = 1.65 V(典型值)@ IC = 30A
  • 器件100%经过ILM(2)测试
  • 高输入阻抗
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 短路耐用性:> 5us @ 25oC

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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FGH30T65UPDT-F155

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Pb

A

H

P

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