IGBT,场截止,600 V,40 A,1.9 V

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安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为汽车充电器、逆变器和低导通和开关损耗至关重要的其他应用提供最佳性能。

  • 最大结温: TJ=175℃
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) =1.9V(典型值) @ IC = 40 A
  • 高输入阻抗
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH40N60SMD-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

N

-

600

80

-

2.3

0.3

0.92

36

-

119

-

-

349

-

$3.0232

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