IGBT,650 V,40A,场截止沟槽

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安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,提供了卓越导通和开关性能,以及简便的并行运行。该器件非常适合谐振或软开关应用,比如电感加热和微波炉。

  • 最大结温: TJ = 175°C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat)=1.45 V(典型值) @ IC = 40 A
  • ILM(1)部件100%检测
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Temp (°C)

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH40T65SHDF-F155

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

Y

-

650

-

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1.5

0.44

1.22

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68

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268

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