650V,40A,场截止沟道 IGBT

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飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列产品采用创新型场截止沟道 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

  • 不间断电源
  • 其他工业
  • 最大结温TJ = 175°C
  • 正温度系数,适合并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) = 1.65 V(典型值)@ IC = 40A
  • 高输入阻抗
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 短路耐用性:> 5µs @ 25°C

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH40T65UPD

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

N

-

650

40

1.65

-

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-

128

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Yes

Price N/A

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