IGBT/MOSFET Gate Drivers Optocouplers | FOD8316

2.5A 输出电流，IGBT 驱动光耦合器，带去饱和检测和隔离故障传感

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FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar® 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

  • 自动化
  • 消费型设备
  • 发电和配电
  • 工业级电机
  • 运动控制-工业电机
  • 不间断电源
  • 具有共模抑制特点的高抗噪能力
  • 35kV/µ 最小共模抑制(CMR) (Vcm = 1500Vpk)
  • 2.5A 峰值输出电流驱动能力，可驱动大部分 1500V/150A IGBT
  • 光隔离故障检测感测反馈
  • IGBT“软”断开
  • 内置 IGBT 保护功能
  • 去饱和检测
  • 欠压锁定保护
  • 1,414 V（峰值）额定工作电压
  • 8,000 V（峰值）额定瞬态隔离电压
  • 15V至30V的宽电源电压范围
  • 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
  • 3.3V/5V, CMOS/TTL 兼容输入
  • 高速
  • 扩展工业温度范围在 -40 至 100°C之间
  • 500ns（最大值）在整个工作温度范围内的传播延迟
  • 1分钟 UL1577，4,243 VRMS。
  • 安全和法规
  • RDS(ON) = 1Ω（典型值），可实现更低的功耗
  • DIN EN/IEC 60747-5-5
  • 8mm 爬电和安全距离
  • 用户可配置：反相，非反相，自动复位，自动关机

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IDDL, IDDH (Max) (mA)

IOL, IOH (Min) (A)

tPHL, tPLH (Max) (ns)

PWD (Max) (ns)

VUVLO (Typ) (V)

VUVLO- (Typ) (V)

CMR (Min) (kV/µs)

VISO (Min) (V)

TOPR (Min) (°C)

TOPR (Max) (°C)

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SOIC16 W

751EN

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1000

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2.5

500

300

11.5

10

35

4243

-40

100

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FOD8316R2

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FOD8316R2V

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