IGBT/MOSFET Gate Drivers Optocouplers | FOD8318

2.5 A 输出电流，IGBT 驱动光耦合器，带有源米勒箝位、去饱和检测和隔离故障传感

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FOD8318 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能，可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT，而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar® 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中，满足 8 毫米漏电和间距要求。

  • 自动化
  • 消费型设备
  • 发电和配电
  • 工业级电机
  • 运动控制-工业电机
  • 不间断电源
  • 通过共模抑制特点实现高抗噪能力
  • 35 kV / μs 最小共模抑制 (VCM = 1500 VPK)
  • 2.5A 峰值输出电流驱动能力，可驱动大部分 1200V/150A IGBT
  • 光隔离故障感测反馈
  • 具有在高 dv/dt 期间断开 IGBT 的有源米勒钳位功能，无需负电源电压
  • “软”IGBT 关断
  • 内置 IGBT 保护
  • 去饱和检测
  • 欠压锁定保护
  • 从 15V 到 30V 的宽电源电压范围
  • 使用输出级的 P 沟道 MOSFET 可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
  • 3.3V/5V 的 CMOS/TTL 兼容输入
  • 高速
  • 在整个工作温度范围内的最大传播延迟为 500ns
  • 安全和监管部门批准
  • 扩展工业温度范围介于 -40 至 100°C 之间
  • DIN EN/IEC 60747-5-5，1,414 V（峰值）工作绝缘电压，8000 V（峰值）额定瞬态绝缘电压
  • – UL1577，4,243 VRMS 持续 1 分钟。
  • 用户可配置： 反相、同相、自动复位、自动关断
  • 1 Ω（典型值）RDS(ON)提供更低功率损耗
  • 8 毫米爬电距离和电气间隙

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IDDL, IDDH (Max) (mA)

IOL, IOH (Min) (A)

tPHL, tPLH (Max) (ns)

PWD (Max) (ns)

VUVLO (Typ) (V)

VUVLO- (Typ) (V)

CMR (Min) (kV/µs)

VISO (Min) (V)

TOPR (Min) (°C)

TOPR (Max) (°C)

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FOD8318

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A

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SOIC16 W

751EN

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2.5

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300

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35

4243

-40

100

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FOD8318R2

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FOD8318R2V

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