Latches & Registers | MC74VHC259
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MC74VHC259 是一款先进的 8 位可寻址锁存，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 TTL 相似的高运行速度，同时保持了 CMOS 低功耗。该内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。VHC259 适用于数字系统中的通用存储应用。该器件具有四种运行模式，如模式选择表中所示。在可寻址锁存模式下，数据输入上的数据将写入已寻址的锁存。已寻址锁存沿用数据输入，所有未寻址锁存保持在之前状态。在内存模式下，所有锁存保持在之前状态，不受数据或地址输入的影响。在 1/8 解码或信号分离模式下，已寻址输出遵循数据输入的状态，所有其他输出为低电平状态。在重置模式下，所有输出为低电平，不受地址和数据输入影响。VHC259 作为可寻址锁存运行时，更改地址的多个位可能会造成瞬变错误地址。因此，应在内存模式下完成此类更改。MC74VHC259 输入结构可在高达 7 V 的应用电压下提供保护，而无论电源电压如何。因此，MC74VHC259 用于将 5 V 电路接口至 3 V 电路。
- High Speed: tPD = 7.6 ns (Typ) at VCC = 5 V
- Low Power Dissipation: ICC = 2 mA (Max) at TA = 25°C
- High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% V CC
- CMOS-Compatible Outputs: VOH > 0.8 VCC ; VOL < 0.1 VCC @Load
- Power Down Protection Provided on Inputs and Outputs
- Balanced Propagation Delays
- Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
- Latchup Performance Exceeds 300 mA
- ESD Performance: HBM > 2000 V
- These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, or contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
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