62 V,2.0 A 功率 MOSFET,逻辑电平

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此逻辑电平功率 MOSFET 具有用于短路保护的电流限制、用于 ESD 保护的集成式门极-源极箝位,以及用于过电压保护的一体化门极-漏极箝位,以及实现低导通电阻的技术。接口 MCU 的输出时,无需附加门极串联电阻,但建议使用一个 40 kΩ 门极下拉电阻以避免浮动门极情况。内部门极-源极和门极-漏极箝位使得该器件应用时无需外部瞬变抑制组件。门极-源极箝位会针对高达 2.0 kV 的静电电压对 MOSFET 输入提供保护。门极-漏极箝位会针对带有直感负载发生的雪崩压力保护 MOSFET 漏极。其独特设计提供了基本与运行温度无关的电压箝位。

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状况

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

MLP2N06CL

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

50

N

62

-

N-Channel

Single

-

-

2

40

-

-

-

-

-

Price N/A

More Details

MLP2N06CLG

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