feedback
评价本网页


需要帮助?


NDF06N60Z: Power MOSFET 600V 7.1A 1.2 Ohm Single N-Channel TO-220FP

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 1.2 Ohm
Rev. 8 (118kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (2)
Product Overview
产品说明
Power MOSFET 600V 1.2 Ohm Single N-Channel
特性   优势
     
  • Low ON Resistance
 
  • Improves efficiency
  • Low Gate Charge
 
  • Faster turn-on
  • ESD diode-protected gate
 
  • ESD resistance
  • 100% Avalanche Tested
   
  • This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
   
应用   终端产品
  • Adapter (Notebook, Printer, Gaming)
  • LCD Panel Power
  • Lighting Ballasts
 
  • SMPS
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NDF06N60ZG Active, Not Rec
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 7.1A 1.2 Ohm Single N-Channel TO-220FP TO-220 FULLPAK-3 221AH NA Tube 50 $0.46
NDF06N60ZH Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 7.1A 1.2 Ohm Single N-Channel TO-220FP, Optimized TO-220 FULLPAK-3 221AH NA Tube 50 $0.42
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Wpi   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 1.2 Ohm
Rev. 8 (118kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 600V 7.1A 1.2 Ohm Single N-Channel TO-220FP, Optimized   N-Channel   Single   600   30   4.5   7.1   35       1200     31   17   2   923   106   23   TO-220 FULLPAK-3 
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NTP8G202N  600 V, 290 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效

NDBA100N10B  NDPL100N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 100 A

  • 低至6.9 mΩ 的低导通电阻
  • 低门极电荷(35 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装