P 沟道增强型场效应晶体管,-60V,-0.18A,5Ω

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此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻,提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用,可以提供高达 1 A 的脉冲电流,且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • -0.18 A, -60 V. RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= -10 V.
  • 电压控制的P沟道小信号开关。
  • 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)
  • 高饱和电流。

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状况

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

NDS0605

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236)

1

260

REEL

3000

N

-60

5000

P-Channel

Single

±20

-3

-0.18

0.36

-

7500

-

1.8

79

$0.0357

More Details

NDS0605-F169

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

1

260

REEL

3000

N

-60

5000

P-Channel

Single

±20

-3

-0.18

0.36

-

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