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NTD110N02R: Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK

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Datasheet: Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK
Rev. 11 (96kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK
特性
 
  • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
  • Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for Synchronous Operation 24 VOLTS
  • Low Ciss to Minimize Driver Loss
  • Optimized Qgd * RDS(on) for Shoot-Through Protection
  • Low Gate Charge
  • Pb-Free Packages are Available
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (2)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTD110N02R-001G Last Shipments 
Pb-free
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D NA Tube 75  
NTD110N02RG Last Shipments 
Pb-free
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD110N02RT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.44
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : 2 to 4
Arrow   (Sat Jul 11 03:18:54 MST 2015) : 15000
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK
Rev. 11 (96kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   24   20   2   110   110     6.2   4.6   23.6     11   0.048   2710   1105   450   DPAK-3 
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NDBA100N10B  NDPL100N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 100 A

  • 低至6.9 mΩ 的低导通电阻
  • 低门极电荷(35 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装

NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

  • 低至2.8 mΩ 的超低导通电阻
  • 低门极电荷(95 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装