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NTD4302: Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 68 A, 30 V, N-Channel DPAK/IPAK
Rev. 9 (114kB)
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»产品更改通知 (22)
Product Overview
产品说明
NTD4302
特性
 
  • Ultra Low RDS(on)
  • Higher Efficiency Extending Battery Life
  • Logic Level Gate Drive
  • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS Specified at Elevated Temperature
  • DPAK Mounting Information Provided
  • Pb-Free Packages are Available
应用
  • DC-DC Converters
  • Low Voltage Motor Control
  • Power Management in Portable and Battery Powered Products:
    i.e., Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones, and
    PCMCIA Cards
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (2)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTD4302 Obsolete
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD4302-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D NA Tube 75  
NTD4302G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD4302T4 Obsolete
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
NTD4302T4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.4267
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : <1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : 4 to 8
Arrow   (Sat Jul 11 03:18:44 MST 2015) : 2475
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 68 A, 30 V, N-Channel DPAK/IPAK
Rev. 9 (114kB)
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»产品更改通知 (22)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   3   68   75     13   10     55     0.043   2050   640   225   DPAK-3 
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