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NTD4809N: Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK

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Specifications
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Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 58 A, Single N-Channel
Rev. 14 (117kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
特性
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
应用
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Coverters
  • Low Side Switching
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (1) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (3)
仿真模型 (4)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTD4809N-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4809N-35G Lifetime
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4809NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.1933
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 58 A, Single N-Channel
Rev. 14 (117kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.5   58   52     14   9   11   25   5   9.2   1456   315   200   DPAK-3 
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