feedback
评价本网页


需要帮助?


NTD4906N: Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 54 A, Single N-Channel
Rev. 5 (129080kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (4)
Product Overview
产品说明
Power MOSFET, Single N Channel 30V, 54A DPAK/IPAK
特性   优势
     
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • These are PbFree Devices
 
  • RoHs Compliance
应用   终端产品
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
 
  • Desktop, Game Console, others
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (2) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (3)
仿真模型 (4) 评估板文档 (9)
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTD4906N-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4906N-35G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75 $0.2
NTD4906NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.2
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : <1K
市场订货至交货的时间(周) : 2 to 4
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 54 A, Single N-Channel
Rev. 5 (129080kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.2   54   37.5     8   5.5   11   24   1.8   25   1932   642   19   IPAK-3 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 54A 5.5 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.2   54   37.5     8   5.5   11   24   1.8   25   1932   642   19   DPAK-3 
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NTP8G202N  600 V, 290 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效