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NTD60N02R: Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 62 A, 25 V, N-Channel DPAK
Rev. 12 (79.0kB)
»浏览可靠性数据
»查看材料成分
»产品更改通知 (12)
产品说明
Power MOSFET 62 Amps, 25 Volts, N-channel, DPAK
特性
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
  • Low Ciss to Minimize Driver Loss
  • Low Gate Charge
  • Optimized for High Side Switching Requirements in High Efficiency DC-DC Converters
  • Pb-Free Packages are Available
技术信息
仿真模型 (4) 封装图纸 (2)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
无铅
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价）
类型
引脚
外形
类型
数量
NTD60N02R-1G
 Active Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel IPAK DPAK−3 (SINGLE GAUGE) 4 369D Rail 75 $0.216
样品
库存
NTD60N02RG
 Last Shipments Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount 4 369AA 1 Rail 75  
罗彻斯特
联系销售办事处
NTD60N02RT4G
 Active Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount 4 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.216
样品
库存
NTD60N02RT4
 Last Shipments Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount 4 369AA 1 Tape and Reel 2500  
罗彻斯特
联系销售办事处
表面贴装器件的潮湿敏感度等级（MSL）（260°C回流温度时测量无铅，235°C回流温度时测量含铅）
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK−3 (SINGLE GAUGE)
V(BR)DSS Min (V) : 25
市场订货至交货的时间(周) : 12+
Future Electronics (2010-02-08) : In Stock
P&S (2010-02-08) : >1K
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount
V(BR)DSS Min (V) : 25
市场订货至交货的时间(周) : 12+
ON Semiconductor (2010-02-06) : 4125
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount
V(BR)DSS Min (V) : 25
市场订货至交货的时间(周) : 12+
Digi-Key (2010-02-08) : <100
P&S (2010-02-08) : >1K
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount
V(BR)DSS Min (V) : 25
市场订货至交货的时间(周) : 12+
已选的电气规范

如欲了解全部电气规范，请看 数据表.

标志 边界 价值 单位 条件
V(BR)DSS min 25
 V VGS = 0V, ID = 0.25mA
VGS max 20
 V
rDS(on) max 10.5
 mΩ VGS = 10V, ID = 20A
Qg typ 9.5
 nC VGS=4.5 VDC, VDS=10 VDC, ID=31 ADC
ID max 62
 A TC = 25°C
PD max 58
 W TC = 25°C
Polarity N Channel
Configuration Single
For complete packaging information, see the datasheet
»查看材料成分
外形
369AA    369D   
封装
For complete product information, see the datasheet
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  • 高达500 mJ的业界领先额定雪崩等级
  • 额定最大电流为17到76 A
  • DPAK、D2PAK及TO-220封装

NTD4960N  NTD4963N  :  30 V、N沟道MOSFET

  • 导通阻抗(RDS(on))低至8 mΩ
  • 门电荷低至9 nC
  • DPAK和IPAK封装
 
 
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