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NTGD4161P: Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6

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Datasheet: Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
Rev. 1 (67.0kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
特性
 
  • Fast Switching Speed
  • Low Gate Charge
  • Low RDS(on)
  • Indpendently Connected Devices to Provide Design Flexibility
  • This is a Pb-Free Device
应用
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • Portable Devices Like PDAs, Cellular Phones and Hard Drives
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTGD4161PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6 TSOP-6 318G-02 1 Tape and Reel 3000 Contact Sales Office
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
Rev. 1 (67.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6   P-Channel   Dual   30   20   3   2.3   1.3       160     7.1     3   281   50   28   TSOP-6 
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