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NTHD3100C: Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™
Rev. 3 (148.0kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™
特性
 
  • Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET
  • Small Size, 40% Smaller then TSOP-6 Package
  • Leadless SMD Package Provides Great Thermal Charcteristics
  • Trench P-Channel for Low On Resistance
  • Low Gate Charge N-Channel for Test Switching
  • Pb-Free Packages are Available
应用
  • DC-toDC Conversion Circuits
  • Load Switch Applications Requiring Level Shift
  • Drive Small Brushless DC Motors
  • Ideal for Power Mangement Applications in Portable, Battery Powered Products
技术文档及设计资源
应用注释 (1) 数据表 (1)
仿真模型 (8) 封装图纸 (1)
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTHD3100CT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.2067
NTHD3100CT1 Obsolete
Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000  
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™
Rev. 3 (148.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET   Complementary   Dual   20   12   1.2   3.9   3.1   115   80     2.3     0.7   6   165   80   25   ChipFET-8 
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