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NTHD3101F: Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky

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Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY®, P-Channel, -4.4A, w/ 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFET¿
Rev. 4 (116.0kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky
特性
 
  • Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode
  • 40% Smaller than TSOP-6 Package
  • Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics
  • Independent Pinout to each Device to ease Circuit Design
  • Trench P-Channel for Low On Resistance
  • Ulta Low VF Schottky
  • Pb-Free Package are Available
应用
  • Li-Ion Battery Charging
  • High Side DC-DC Conversion Circuits
  • High Side Drive for Small Brushless DC Motors
  • Power Management in Portable, Battery Powered Products
技术文档及设计资源
应用注释 (3) 数据表 (1)
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTHD3101FT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.1733
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY®, P-Channel, -4.4A, w/ 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFET¿
Rev. 4 (116.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky   P-Channel   with Schottky Diode   20   8   1.5   4.4   2.1   110   80     7.4     2.5   6.5   680   100   70   ChipFET-8 
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