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NTJD4152P: Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection

Overview
Specifications
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Datasheet: Small Signal MOSFET, 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, with ESD Protection
Rev. 6 (70kB)
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Product Overview
产品说明
Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection
特性
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance
  • Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)
  • ESD Protected Gate
  • Pb-Free Package is Available
应用
  • Load/Power Management
  • Charging Circuits
  • Load Switching
  • Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s, and PDAs
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTJD4152PT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.0907
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >50K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Small Signal MOSFET, 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, with ESD Protection
Rev. 6 (70kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection   P-Channel   Dual   20   12   1.2   0.88   0.272   500   260     2.2     0.65     155   25   18   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
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