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NTMD4840N: Power MOSFET 30V 7.5A 24 mOhm Dual N-Channel SO-8

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Specifications
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Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 7.5 A, Dual N-Channel
Rev. 1 (135.0kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 30 V, 7 A, Dual N-Channel, SOIC-8
特性
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • Dual SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space
  • This is a Pb-Free Device
应用
  • Disk Drives
  • DC-DC Converters
  • Printers
技术文档及设计资源
应用注释 (1) 数据表 (1)
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMD4840NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 7.5A 24 mOhm Dual N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.2133
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 7.5 A, Dual N-Channel
Rev. 1 (135.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 7.5A 24 mOhm Dual N-Channel SO-8   N-Channel   Dual   30   20   3   7.5   1.95     36   24   4.8     1.9   6   520   140   70   SOIC-8 
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