feedback
评价本网页


需要帮助?


NTMFS4846: Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 100 A, Single N-Channel
Rev. 6 (114kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (7)
Product Overview
产品说明
Power MOSFET 30 V, 100 A, Single N-Channel, SO-8 FL
特性   优势
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimize Switching Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Thermally Enhanced S08FL Package
 
  • Efficient Thermal Transfer Characteristics
  • Pb-Free Device
 
  • Environmentally Friendly
应用   终端产品
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
  • Low Side Switching
  • Refer to Application Note AND8195/D
 
  • Servers
  • Notebook Computers
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (1) 数据表 (1)
应用注释 (2) 封装图纸 (1)
仿真模型 (4)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMFS4846NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.3533
NTMFS4846NT3G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000  
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 100 A, Single N-Channel
Rev. 6 (114kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   ±20   2.5   100   55.5     5.1   3.4   21.8     7.4   8.5   3250   562   289   SO-8FL / DFN-5 
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 100 A

  • 低至6.9 mΩ 的低导通电阻
  • 低门极电荷(35 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效