feedback
评价本网页


需要帮助?


NTMFS4C05N: Power MOSFET 30V 78A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: 30 V, 70 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 6 (88kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (3)
Product Overview
产品说明
NTMFS4C05N
特性
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
    Compliant
应用
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (2) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (1)
仿真模型 (4) 评估板文档 (9)
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMFS4C05NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 78A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.2533
NTMFS4C05NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 78A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.2533
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: 30 V, 70 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 6 (88kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 78A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   78   33     5   3.4     30   5   30.2   1972   1215   59   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 78A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   78   33     5   3.4     30   5   30.2   1972   1215   59   SO-8FL / DFN-5 
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效

NTP8G202N  600 V, 290 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效