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NTMFS6B14N: Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 100 V, 15 mOhm, 50 A
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL
特性   优势
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
应用   终端产品
  • Point of load modules
 
  • Netcom, Telecom
  • Servers
技术文档及设计资源
数据表 (1) 封装图纸 (1)
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMFS6B14NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.6855
NTMFS6B14NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.6855
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 100 V, 15 mOhm, 50 A
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Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL   N-Channel   Single   100   ±20   4   50   77       15     20     50   1300   260   18   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL   N-Channel   Single   100   ±20   4   50   77       15     20     50   1300   260   18   SO-8FL / DFN-5 
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 100 V, 15 mOhm, 50 A
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488AA   
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