feedback
评价本网页


需要帮助?


NTMS4816N: Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 11 A, N-Channel
Rev. 2 (109.0kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (4)
Product Overview
产品说明
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
特性
 
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • This is a Pb-Free Device
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
应用
  • Disk Drives
  • DC-DC Converters
  • Printers
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (1) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (1)
仿真模型 (4)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMS4816NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.2133
NVMS4816NR2G Last Shipments
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500  
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 11 A, N-Channel
Rev. 2 (109.0kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8   N-Channel   Single   30   20   3   11   2.04     16   10   9.2   18.3   3.8   9   1060   220   126   SOIC-8 
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

  • 低至2.8 mΩ 的超低导通电阻
  • 低门极电荷(95 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装

NTP8G202N  600 V, 290 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效