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NTMS4916N: Power MOSFET 30V 11.6A 9.0 mOhm Single N-Channel SO-8

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Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 11.6 A, N-Channel
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产品说明
Power MOSFET, 30 V, 11.4 A, N Channel, SOIC8
特性   优势
     
  • Optimized Qg and Rg
 
  • Improve Signal Quality and Minimize Switching Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Loss
  • Low RDS(on)
 
  • Improve Efficiency
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
应用   终端产品
  • DCDC Converters, Power Load Switch, Notebook Battery Management
 
  • Notebook PC, Desktop PC, Server,Game Console, Netcom, Point of Load Module
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (2) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (1)
仿真模型 (4)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMS4916NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 11.6A 9.0 mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.3333
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 13 to 16
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 11.6 A, N-Channel
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Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 11.6A 9.0 mOhm Single N-Channel SO-8   N-Channel   Single   30   20   2.5   11.4   1.98     12   9       6.5   20   1376   401     SOIC-8 
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 11.6 A, N-Channel
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外形
751-07   
封装
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