feedback
评价本网页


需要帮助?


NTMS4920N: Power MOSFET 30V 17A 4.3 mOhm Single N-Channel SO-8

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 17 A, N-Channel
Rev. 1 (131.0kB)
»查看材料成分
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
产品说明
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
特性   优势
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Loss
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Reduce Switching Losses
应用   终端产品
  • DC-DC Converters, Point of Load, Power Load Switch, Motor Control
 
  • PC, Server, Game Console, Other computing and Consumer Applications
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (2) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (1)
仿真模型 (4)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMS4920NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 17A 4.3 mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.28
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 17 A, N-Channel
Rev. 1 (131.0kB)
»查看材料成分
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 17A 4.3 mOhm Single N-Channel SO-8   N-Channel   Single   30   20   3   17   2.12     5.7   4.3   26.3   58.9   3.8   65   4068   1170   41   SOIC-8 
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 17 A, N-Channel
Rev. 1 (131.0kB)
»查看材料成分
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
外形
751-07   
封装
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 17 A, N-Channel
Rev. 1 (131.0kB)
»查看材料成分
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效

NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

  • 低至2.8 mΩ 的超低导通电阻
  • 低门极电荷(95 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装