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NTMS4939N: Power MOSFET 30V 12.5A 8.4 mOhm Single N-Channel SO-8

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Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 12.5 A, N-Channel
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产品说明
Power MOSFET, 30V, 53A, Single N Channel, SO8FL
特性   优势
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Reduce Switching Losses
  • Pb Free and Halogen Free
 
  • RoHS Compliant
应用   终端产品
  • DC-DC Converter, Point of Load, Power Load Switch, Motor Control
 
  • PC, Server, Game Console, HDD, Printer, other Computing and Consumer Products
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (2) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (1)
仿真模型 (4)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMS4939NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 12.5A 8.4 mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.6
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 4 to 8
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 12.5 A, N-Channel
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 12.5A 8.4 mOhm Single N-Channel SO-8   N-Channel   Single   30   20   2.5   12.5   2       8.4   12.4     1.85   32   2000   620   16   SOIC-8 
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 12.5 A, N-Channel
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Product Overview
外形
751-07   
封装
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 12.5 A, N-Channel
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NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

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NDBA100N10B  NDPL100N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 100 A

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  • 低门极电荷(35 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装