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NTTFS4C06N: Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL

Overview
Specifications
Datasheet: 30 V, 65 A, Single N−Channel, u8FL Power MOSFET
Rev. 1 (124kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL
特性   优势
     
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
   
  • These Devices are PbFree and are RoHS Compliant
   
应用
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
  • Notebook Battery Management
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (1) 数据表 (1)
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTTFS4C06NTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.2973
NTTFS4C06NTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.2973
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: 30 V, 65 A, Single N−Channel, u8FL Power MOSFET
Rev. 1 (124kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   65   31     6.1   4.2   11.6   26   4   22   1683   841   40   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 65A 4.2 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   65   31     6.1   4.2   11.6   26   4   22   1683   841   40   u8FL / WDFN-8 
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