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NTB5405N: Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, 116 A, Single N-Channel
Rev. 5 (71kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N-Channel D2PAK
特性
 
  • Low RDS(on)
  • High Current Capability
  • Low Gate Charge
  • These are Pb-Free Devices
应用
  • Electronic Brake Systems
  • Electronic Power Steering
  • Bridge Circuits
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTB5405NG Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tube 50  
NTB5405NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tape and Reel 800 $1.0701
NVB5405NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tape and Reel 800 $1.1772
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : <100
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, 116 A, Single N-Channel
Rev. 5 (71kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK   N-Channel   Single   40   20   3.5   116   150     8   5.8     88   37   113   2700   700   200   D2PAK-3 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK   N-Channel                                   D2PAK-3 
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