feedback
评价本网页


需要帮助?


NVD5890N: Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK.

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: NVD5890N Final Datasheet
Rev. 1 (111.0kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (2)
Product Overview
产品说明
Automotive Power MOSFET. 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特性   优势
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimizes conduction losses
  • High current capability
 
  • Provides robust load driving performance
  • AEC-Q101 Qualified
 
  • Suitable for use in Automotive systems
  • 100% Avalanche engergy tested
 
  • Safeguards against voltage overstress failure
应用   终端产品
  • Motor Drivers
  • Automotive Pump Drivers
 
  • Automotive Braking systems
  • Automotive Steering systems
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NVD5890NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK., Power MOSFET 40 V, 100 A, Single N−Channel DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.6399
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 13 to 16
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: NVD5890N Final Datasheet
Rev. 1 (111.0kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK., Power MOSFET 40 V, 100 A, Single N−Channel   N-Channel   Single   40   20   3.5   123   107       3.7     74   16   40   4975   785   490   DPAK-3 
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效

NTP8G202N  600 V, 290 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效