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NVJD5121N: Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level.

Overview
Specifications
Datasheet: NTJD5121N Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection
Rev. 8 (69kB)
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Product Overview
产品说明
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特性   优势
     
  • Pb-Free
 
  • RoHS Compliance
  • AEC qualified
 
  • Automotive qualified
  • Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on)
   
  • Reduced Qg and Capacitance
   
  • Low Leakage Current
   
  • Low Profile, 2x2 mm
   
终端产品
  • Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters
技术文档及设计资源
仿真模型 (2) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NVJD5121NT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level. SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.045
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >100K
Datasheet: NTJD5121N Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection
Rev. 8 (69kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level.   N-Channel   Dual   60   20   2.5   0.295   0.25     2500   1600   0.9     0.28     26   4.4   2.5   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
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