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NVLUS4C12N: Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6

Overview
Specifications
Datasheet: Single N?Channel Power MOSFET, 30 V, 10.7 A
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6
特性   优势
     
  • UDFN Package with Exposed Drain Pads
 
  • Excellent Thermal Conduction
  • Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm
 
  • Board Space Saving
  • Ultra Low RDS(on)
 
  • Improve System Efficiency
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
应用   终端产品
  • Battery Switch
  • High Side Load Switch
  • Power Load Switch
 
  • Automotive Infotainment modules
技术文档及设计资源
仿真模型 (4) 封装图纸 (1)
数据表 (1)  
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NVLUS4C12NTAG Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6, Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6 UDFN-6 517BG 1 Tape and Reel 3000 $0.2933
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 2 to 4
Datasheet: Single N?Channel Power MOSFET, 30 V, 10.7 A
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Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6, Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6   N-Channel   Single   30   20   2.1   10.7   1.54     12   9       2.2   20   1172   546   26   UDFN-6 
Datasheet: Single N?Channel Power MOSFET, 30 V, 10.7 A
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NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

  • 低至2.8 mΩ 的超低导通电阻
  • 低门极电荷(95 nC)和高开关速度
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NDBA100N10B  NDPL100N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 100 A

  • 低至6.9 mΩ 的低导通电阻
  • 低门极电荷(35 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装