IGBT 和 FET

IGBT – N沟道MOSFET – P沟道MOSFET

安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT),结型场效应晶体管(JFET),N沟道、P沟道及互补型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及自保护MOSFET。

绝缘门双极晶体管 (IGBT) (12)

参数表

熄火晶体管 – 电感线圈驱动器晶体管

安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT),用于电子熄火电路。
技术信息
应用注释 (2) 数据表 (12)
仿真模型 (19) 封装图纸 (4)

JFETs (16)

参数表

N沟道和P沟道结场效应管(JFET)

安森美半导体提供结场效应管(JFET),用于射频(RF)、混频和斩波电路。
技术信息
仿真模型 (41) 封装图纸 (2)
数据表 (24)  

MOSFETs (441)

参数表

N沟道、P沟道和互补MOSFET

安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),用于电源转换和开关电路。

技术信息
应用注释 (30) 数据表 (440)
仿真模型 (1339) 封装图纸 (44)

保护 MOSFETs (26)

参数表

SMARTDISCRETES™

安森美半导体提供自我保护MOSFET,可能包含限流、限温、ESD保护或电流镜。
技术信息
应用注释 (2) 数据表 (27)
仿真模型 (25) 封装图纸 (9)
之前浏览的产品
清除列表

新产品
 

NTTFS5811NL  NTTFS5820NL  单N沟道功率MOSFET

  • NTTFS5811NL工作在40 V、53 A、6.4 mΩ;NTTFS5820NL工作在60 V、37 A、11.5 mΩ
  • DFN-8 FL封装提供增强的热性能,占位面积仅为3.3 x 3.3 mm
  • 优化以降低导电、驱动器和开关损耗