| 产品概览 |
安森美半导体的高Q(High-Q™)集成无源器件(IPD)工艺提供基于高电阻硅平台的铜工艺，非常适合生产便携、无线及射频(RF)应用中所用的无源器件，如平衡转换器(balun)、滤波器、耦合器和双工器。IPD工艺为射频系统级封装(SiP)提供高性价比的方案。并为原型工程设计提供晶圆代工往返(shuttle) 服务。IPD技术于安森美半导体世界级的200 mm晶圆制造厂中制造, 支持铜电感、精密电容及精密电阻的制造, 并为定制应用提供设计服务，, 公司提供完整功能的设计套件帮助客户布线、仿真及验证。
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| 特性 |
- 高Q(High-Q™)铜电感
- MIM电容
- TiN金属电阻
- 三层金属布线(1层铝，2层铜)
- 三200 mm硅晶圆半径
- 高电阻硅衬底
- 平坦双镶嵌(damascene)铜工艺
- 优异的工艺控制
- 完整功能设计套件
- 设计服务
- 晶圆代工往返服务
- 面积比分立方案小
- 比低温陶瓷共烧(LTCC)薄
- 成本比GaAs低
- 性能比其它硅方案好
工艺特性
| Si HRS 衬底 |
1.5 kΩ∙cm |
| MIM 电容密度 |
0.62 fF/µm² |
| 片式电阻的阻值 |
9 Ω/square |
| 片式电感的阻值 |
3.5 mΩ/square |
| 基极硅握着化物厚度 |
5.6 µm |
| MIM 工作电压 |
20 V |
| M1 铝金属厚度 |
2 µm |
| MN 铜金属厚度 |
5 µm |
| MN2 铜金属厚度 |
5 µm |
| 邦定焊盘 |
线邦定(Wirebond)，倒装芯片 |
工艺选择范例
| 选择 |
掩膜层 |
| IPD1 |
1层铝，1层铜金属 |
| IPD2 |
1层铝，2层铜金属 |
| 金属电阻 |
Yes/No |
MIM 介电质厚度
thickness |
标准1 kÅ，可选2 kÅ |
| 邦定焊盘 |
线邦定(Wirebond)，倒装芯片 |
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| 器件特性 |
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(所有值均是25°C条件下的典型值)
电感
| 参数 |
典型值 |
单位 |
| 铜厚度 |
5, 10 |
µm |
| 最小宽度 |
5 |
µm |
| 最大宽度 |
40 |
µm |
| 最小间距(Space) |
3 |
µm |
| 最小内部半径 |
50 |
µm |
| 建议范围 |
1-50 |
nH |
| 最大Q值 |
25-45 |
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电阻
| 参数 |
典型值 |
单位 |
| 最小宽度 |
2 |
µm |
| 最小长度 |
9 |
µm |
电容
| 多晶硅/门氧化物/N阱 |
典型值 |
单位 |
| 最小宽度 |
15.75 |
µm |
| 最大宽度 |
450 |
µm |
| 最大Area |
45000 |
µm² |
| 建议范围 |
1-100 |
pF |
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| CAD 工具兼容性 |
| 仿真 |
| Angsoft HFSS |
| Agilent ADS |
| 物理验证 |
| Cadence Assura |
| Mentor Calibre |
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| IPD2 截面(Cross-Section) |
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| 更多信息请访问www.onsemi.cn，联系您的当地销售支援 |
