强固的ASIC用于太空和高可靠性应用

安森美半导体提供对于太空和高可靠性应用至关重要的抗辐射加固设计(RHBD)方案。这设计采用公司的110 nm专用集成电路(ASIC) 数字工艺,包括称作自修复逻辑(SRL)的新型触发器架构。在高达700 MHz时,SRL在高线性能量转移(LET)的单粒子效应中依然保持强固,远超传统的RHBD触发器架构的能力。抗闭锁的双端口SRAM和主板纠错码(ECC),加固了时钟单元、高速I/O单元库和单粒子效应闭锁保护单元。这些单元兼容现有的数字ASIC流程,提供优越的定价、开发周期和制造周期。

ONC110 测试结果

总电离剂量(Si) 300kRads
SEU 发生 LET (700 Mhz) 107 Mev cm2/mg (Si)
单粒子闩锁(SEL) 不受影响 测试 125 Mev cm2/mg (Si) 在 150°C 和 Vdd+10%
剂量率翻转 测试 1x109 rad(si)/s
剂量率闭锁 Tested to 3x108 rad(si)/s
中子 SEE 1x1012 n/cm2 (相当于 1MeV)

可靠的抗辐射方案用于太空

安森美半导体提供范围宽广的设计方案以缓解辐射效应。加固的IP结合可靠的商用ASIC开发流程,以满足宽广应用的设计和应用需求。传承公司50年的ASIC经验包括数以千计的设计规格、客户互动和FPGA转换的成功故事。添加110 nm RHBD能力使安森美半导体能扩展新老客户所需的ASIC产品范围和服务。