高性能氮化镓(GaN)、IGBT、MOSFET、电隔离、光隔离和SiC MOSFET驱动器,是高功率应用的理想选择。这些驱动器是为实现高系统能效、高可靠性、短传播延迟等而设计的。这些门极驱动器的理想性能特征使其能够满足汽车、工业、云电源和计算应用的要求。
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门极驱动技术在过去十年中取得了一定的发展。随着片上集成隔离技术的出现,主要的驱动IC厂商纷纷开发了隔离驱动IC。这些数字隔离器正逐渐取代光耦合器技术。到目前为止,微型变压器(无芯变压器) 是首选的数字隔离器。未来5年...
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为GaN功率晶体管提供匹配的门极驱动器