安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管阵容包括AEC-Q101认证和符合生产件批准程序(PPAP) 的专门针对汽车和工业应用而设计和认证的选件。 SiC肖特基二极管使用全新的技术，提供比硅更胜一筹的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI)以及更低的系统尺寸和成本。

产品系列

650 V SiC二极管

安森美半导体的650 V SiC二极管阵容

浏览产品

1200 V SiC二极管

安森美半导体的1200 V SiC二极管阵容

浏览产品

1700 V SiC二极管

安森美半导体的1700 V SiC二极管阵容

浏览产品

特色新品

查看所有产品

NDSH20120C

Silicon Carbide Schottky Diode, 1200 V, 20 A

探索

NDSH50120C

Silicon Carbide Schottky Diode, 1200 V, 50 A

探索

NVDSH20120C

Silicon Carbide Schottky Diode, 1200 V, 20 A

探索

评估板

SEC-3PH-11-OBC-EVB

Three-phase On Board Charger (OBC) PFC-LLC Platform

探索

SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB

6.6 kW On Board Charger (OBC) SiC Model

探索

视频

宽禁带和SiC性能概览

探索

在太阳能和可再生能源应用中利用宽禁带

探索

在服务器和工业电源应用中利用宽禁带

探索

工业电机控制评估系统

探索