安森美半导体的碳化硅 (SiC) MOSFET阵容设计用于实现快速而强固的设计。SiC MOSFET的介电击穿场强高10倍，电子饱和速度高2倍，能量带隙高3倍，热导率高3倍。安森美半导体的所有SiC MOSFET都包括AEC-Q101认证和符合生产件批准程序(PPAP)的针对汽车和工业应用而设计和认证的选项。系统优势包括：更低功率损耗，更高功率密度，更高工作频率，更高工作温度，更低EMI，最重要的是更小系统尺寸和成本，从而提高能效。

产品系列

650 V SiC MOSFETs

安森美半导体的650 V SiC MOSFET阵容。

浏览产品

900 V SiC MOSFETs

安森美半导体的900 V SiC MOSFET阵容。

浏览产品

1200 V SiC MOSFETs

安森美半导体的1200 V SiC MOSFET阵容。

浏览产品

特色新品

查看所有产品

NTBG015N065SC1

Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 650 V, 15.3 mΩ

探索

NTBG020N090SC1

Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 900 V, 20 mΩ

探索

NTH4L060N090SC1

Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 900 V, 60 mΩ

探索

评估板

SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB

6.6 kW On Board Charger (OBC) SiC Model

探索

SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB

6.6 kW OBC Evaluation Board using Totem pole Topology

探索

SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB

40 W SiC High-Voltage Auxiliary Power Supply for HEV/EV Applications

探索

相关资源

SiC MOSFETs Gate Drive Optimization Overview Tutotrial Thumbnail

白皮书

SiC MOSFET：门极驱动优化

对于高压开关电源应用，SiC或SiC MOSFET比传统的硅MOSFET和IGBT有明显的优势。

Scalable SPICE Modeling Methodologies Overview Tutotrial Thumbnail

白皮书

基于物理的、可扩展SPICE建模方法，用于现代电力电子器件

高效的电力电子设计取决于是否有准确和可预测的SPICE模型。本文提出了创新的物理和可扩展SPICE模型，用于电力电子半导体的，包括…

The Difference Between GaN and SiC Transistors Overview Tutotrial Thumbnail

白皮书

氮化镓(GaN)和SiC晶体管的差别

几十年来，硅一直主导晶体管世界。但这已在逐渐改变。由两种或三种材料制成的化合物半导体已被开发出来，并提供...

视频

宽禁带和SiC性能概览

探索

在太阳能和可再生能源应用中利用宽禁带

探索

在服务器和工业电源应用中利用宽禁带

探索

Silicon and Silicon Carbide MOSFETS for Industrial Applications

探索