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安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案  French German Italian Japanese Korean

经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值,能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰

ON Semiconductor Expands 100 V MOSFET Portfolio

2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值,非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。

安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器,以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件,符合RoHS指令,关键的规范特性包括:

• 导通阻抗(RDS(on))低至13毫欧(mΩ)
• 电流能力高达76安培(A)
• 经过100%雪崩测试
• 通过AEC-Q101标准认证

安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰,以及推动更高能效,安森美半导体的N沟道功率MOSFET提供强固及可靠的方案。我们100 V产品系列新增的器件为客户提供更多的选择,帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。”

封装及价格
NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN,采用无铅及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封装。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL,采用无铅及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封装。所有这些器件的工作温度范围为-55°C至+175°C。这些MOSFET每10,000片批量的价格为0.92至1.90美元。现提供样品。

更多信息请访问安森美半导体网站:http://www.onsemi.cn

新浪微博上关注@安森美半导体www.weibo.com/onsemiconductor

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容,帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn

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