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安森美半导体扩充功率开关产品阵容,推出高压MOSFET系列  Japanese Korean

强固的500 V及600 V MOSFET为高压功率消费及工业应用提供快速导通并降低动态功率损耗

high-voltage power MOSFETs

2010年2月22日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求,在这些应用中,加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言,这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器,及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。

这些新的500 V和600 V器件是单N沟道MOSFET,以提供有竞争力的低导通阻抗(RDS(on))实现极低的功率耗散。这些器件使用平面条形(planar stripe)技术,能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗,还提高电源能效。这些器件的额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些器件的优异性能组合帮助开发更高能效的电源子系统。

安森美半导体MOSFET产品分部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“推出这些器件系列仅是安森美半导体进军高压功率MOSFET市场的第一步。我们战略性地进入了高压开关市场,提供充沛的500 V到600 V负载开关方案选择,更好地服务我们客户的总体电源管理需求。未来我们将继续扩充高压功率MOSFET产品阵容,为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。”

新推出的600 V MOSFET器件包括:
- NDD02N60Z-1G ,采用IPAK封装,每10,000片批量的单价为0.22美元
- NDD02N60ZT4G,采用DPAK封装,每10,000片批量的单价为0.22美元
- NDD03N60Z-1G,采用IPAK封装,每10,000片批量的单价为0.23美元
- NDD03N60ZT4G,采用DPAK封装,每10,000片批量的单价为0.23美元
- NDD04N60Z-1G,采用IPAK封装,每10,000片批量的单价为0.27美元
- NDD04N60ZT4G,采用DPAK封装,每10,000片批量的单价为0.27美元
- NDF04N60ZG,采用TO-220FP封装,每10,000片批量的单价为0.27美元
- NDF06N60ZG,采用TO-220FP封装,每10,000片批量的单价为0.36美元
- NDF10N60ZG,采用TO-220FP封装,每10,000片批量的单价为0.42美元

新推出的500 V MOSFET器件包括:
- NDD05N50Z-1G,采用IPAK封装,每10,000片批量的单价为0.29美元
- NDD05N50ZT4G,采用DPAK封装,每10,000片批量的单价为0.29美元
- NDF05N50ZG,采用TO-220FP封装,每10,000片批量的单价为0.29美元
- NDF08N50ZG,采用TO-220FP封装,每10,000片批量的单价为0.38美元

The NDF05N50ZG and NDF08N50ZG will be featured in a demonstration of a power supply and LED backlight for an LCD TV at the Applied Power Electronics Conference (APEC) at ON Semiconductor’s booth No. 315 on February 21-25, 2010 in Palm Springs, CA.

更多信息请访问www.onsemi.cn。

新浪微博上关注@安森美半导体www.weibo.com/onsemiconductor

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容,帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn

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