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オン・セミコンダクター、高効率の3Dセンサ・スタッキング技術を発表  Chinese Korean

CMOS画像センサ技術により、モバイルおよびコンシューマアプリケーションで使用される将来のオン・セミコンダクターのセンサにおいて、消費電力、性能、サイズの効率性を実現















高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)の日本法人オン・セミコンダクター株式会社(本社 東京都台東区、代表取締役社長 雨宮 隆久)は、従来のモノリシックの非スタック型設計と比較してダイサイズ、ピクセル性能、および消費電力を改善した同社初の全機能搭載のスタック型CMOS画像センサの特性評価および実証に成功しました。この技術は、1.1ミクロン(µm)ピクセルのテスト用チップの実装に成功し特性評価を完了し、今年の後半には製品に組み込まれる予定です。

モノリシック基板プロセスによる従来のセンサ設計では、ピクセル配列と下層の回路をサポートするために別々のダイエリアが必要です。3Dスタッキング技術では、ピクセル配列と下層の回路は、別々の基板で製造され、シリコン貫通電極(Through Silicon Vias, TSV)で2つを接続してスタックされます。これにより、ピクセル配列を下層の回路に重ね合わせることができ、より効率的なダイレイアウトが可能になります。このアプローチにより、設計エンジニアは、画像性能、コスト、消費電力、およびダイサイズに合わせてセンサの各部を最適化できます。ピクセル配列の最適化により、センサは、ノイズレベルの削減とピクセル応答の改善を通してピクセル性能を向上させることができます。下層の回路は、消費電力を減らすために、より積極的な設計ルールを利用できます。全体的な面積が縮小することで、光学式手ぶれ補正(OIS)と追加のデータストレージが同じモジュール面積に組み込まれた現在の最先端のカメラモジュールをサポートできます。

オン・セミコンダクターのイメージセンサ・グループのテクノロジー担当副社長であるサンダー・バマー(Sandor Barna)は、次のように述べています。「3Dスタッキングは画期的な技術であり、それを利用することによりオン・セミコンダクターは、将来のセンサの最適化能力を向上させることができます。この技術により製造および設計の柔軟性が確保され、センサ製品ポートフォリオ全体において性能面でのリーダー的地位を維持できます」

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オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、グローバルな省エネルギー実現のためデザインエンジニアを強化し、エネルギー効率のイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターのエネルギー効率の高い、パワー&信号制御、ロジック、ディスクリートおよびカスタム・ソリューションの包括的なポートフォリオは、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、LED 照明、医療機器、軍事/航空宇宙および電源アプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、対応力、信頼性に優れた、世界クラスのサプライ・チェーンと品質保証体制、および製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを稼働させています。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。

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オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュース・リリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。